Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства CuInAsSe3
Габибов Ф.С.1, Зобов Е.М.1, Сайпулаева Л.А.1, Алибеков А.Г.1, Мельникова Н.В.2, Хейфец О.Л.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Институт естественных наук и физический факультет Уральского федерального университета им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: a.abdulabek@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Представлены первые результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств поликристаллического соединения CuInAsSe3. Определены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Изучено поведение диэлектрической проницаемости, электропроводности, комплексного сопротивления, комплексной проводимости в диапазоне частот 1 Hz-32 MHz при температурах 10-400 K. Установлено, что материал обладает сегнетоэлектрическими свойствами. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (грант N 13-02-00633-а).