Вышедшие номера
Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba0.8Sr0.2TiO3
Киселев Д.А.1,2, Афанасьев М.С.2, Левашов С.А.2, Чучева Г.В.2
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: dm.kiselev@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Показана возможность создания устойчивых доменных состояний в пленках Ba0.8Sr0.2TiO3 методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика как на исходной поверхности, так и в предварительно поляризованной области пленки. Проведен расчет скорости бокового движения доменной стенки, коэрцитивного поля, минимального размера домена и времени записи для создания домена приложенным напряжением. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (гранты N 12-07-00662-а, 13-07-00782-а) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов". Исследования проводились на оборудовании Центра коллективного пользования "Материаловедение и металлургия" при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (уникальный идентификатор проекта RFMEFI59414X0007, соглашение N 14.594.21.0007).