Издателям
Вышедшие номера
Оптическое поглощение и центры окраски в крупных кристаллах Ti:сапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в восстановительных условиях
Нижанковский C.B.1, Сидельникова H.C.1, Баранов B.B.1
1Институт монокристаллов НАН Украины, Харьков, Украина
Email: nizhankovsky@yandex.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Проведены исследования оптического поглощения в крупных кристаллах Ti:сапфира (размерами до 175x175x40 mm), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации с использованием зонного выравнивания распределения активатора в различных восстановительных атмосферах. Показана высокая однородность оптических характеристик и распределения центров окраски на основе Ti3+, Ti4+ и активаторно-вакансионных комплексов в выращенных кристаллах, которая в значительной степени определяется стабильностью восстановительного потенциала среды выращивания. Установлено, что концентрация активатора в зарядовом состоянии Ti4+ в кристаллах, выращенных в атмосфере СО+Н2 низкого давления не превышает 1.5%, в атмосфере Ar составляет 0.2-0.5% от общего количества активатора. После дополнительного восстановительного отжига концентрация Ti4+ снижается до ~0.01%.
  • С.А. Пикуз, А.Я. Фаенов, И.Ю. Скобелев, В.Е. Фортов. УФН 184, 759 (2014)
  • S.K. Lee, T.J. Yu, J.H. Sung / Conference paper. CLEO: Science and innovatons. San Jose, California, USA. May 6-11, 2012
  • D.B. Joyce, F. Schmid. J. Crystal Growth 312, 1138 (2010)
  • C.B. Нижанковский, Е.В. Кривоносов, В.В. Баранов, А.Т. Будников, В.Н. Канищев, Л.А. Гринь, Г.Т. Адонкин. Неорг. мат. 48, 1243 (2012)
  • Н.А. Москвин, В.А. Сандуленко, Е.А. Сидорова. ЖПС 32, 1017 (1980)
  • R.L. Aggarwal, A. Sanchez, M.M. Stuppi. IEEE J. Quantum Electronics 24, 1003 (1988)
  • В.С. Коневский, Е.В. Кривоносов, Л.А. Литвинов, М.И. Шахнович. ЖПС 50, 651 (1989)
  • E.V. Kryvonosov, L.A. Lytvynov. Crystallography Reports 57, 967 (2012)
  • Х.С. Багдасаров, В.Г. Карягин, А.М. Кеворков, Д.Т. Свиридов, Е.М. Уюкин. Кристаллография 39, 656 (1994)
  • C.B. Нижанковский, A.Я. Данько, Е.В. Кривоносов, В.М. Пузиков. Неорг. мат. 46, 41 (2010)
  • М.В. Классен-Неклюдова, Х.С. Багдасаров. Рубин и сапфир. Наука, М. (1974). 236 с
  • D.S. McClure. J. Chem. Phys. 36, 2757 (1962)
  • P. Lacovara, L. Esterowitz, M. Kokta. IEEE J. Quantum Electron. 21, 1614 (1985)
  • F.X. Zha, J.H. Zhang, S.D. Xia. J. Phys.: Condens. Matter. 6, 6497 (1994)
  • M.B. Фок. Труды ФИАН 59, 3 (1972)
  • В.Г. Тяжелова. ЖПС 10, 22 (1969)
  • W. Chen, H. Tang, C. Shi, J. Deng, J. Shi, Y. Zhou, S. Xia, Y. Wang, S. Yin. Appl. Phys. Lett. 67, 317 (1995)
  • V.B. Mikhailik, H. Kraus, M. Balcerzyk, W. Czarnacki, M. Moszynski, M.S. Mykhaylyk, D. Wahl. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A 546, 523 (2005)
  • H.H. Kusuma, Z. Ibrahim. Solid State Science and Technology 20, 41 (2012)
  • H.H. Kusuma, Z. Ibrahim, M.K. Saidin. J. Appl. Sci. 11, 888 (2011)
  • B.D. Evans, G.J. Pogatshnik, Y. Chen. Nucl. Instrum. Methods. B91, 258 (1994)
  • B.D. Evans, M. Stapelbroek. Phys. Rev, B 18, 7089 (1978)
  • K.H. Lee, J.H. Crawford. Phys. Rev. B 19, 3217 (1979)
  • B.G. Draeger, G.P. Summers. Phys. Rev. B 19, 1172 (1979)
  • И.А. Вайнштейн, В.С. Кортов. ФТТ 42, 1223 (2000)
  • А.И. Сюрдо. Известия вузов. Физика 54, 277 (2011)
  • T.C. Бессонова, М.П. Станиславский, В.Я. Хаимов-Мальков. Опт. и спектр. 41, 152 (1976)
  • W.C. Wong, D.S. McClure, S.A. Basun, M.R. Kokta. Phys. Rev. B. B51, 5682 (1995)
  • А.И. Сюрдо. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.07. Уральский государственный технический университет. Екатеринбург (2007)
  • S. Choi, T. Takeuchi T. Phys. Rev. Lett. 50, 1474 (1983)
  • Э.В. Еськов Э.В., М.М. Сабельникова., Ю.А. Игнатов. В кн.: Тезисы докладов VI Международной научной конференции "Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии", 17-22 сентября 2006 г., г. Кисловодск. 510 с
  • E.W.J. Mitchell, J.D. Rigdena, P.D. Townsend. Phil. Mag. 5, 1013 (1960)
  • B.D. Evans. J. Nuclear Materials. 219, 202 (1995)
  • J. Stone-Sundberg, M. Kokta M., A. Silberstein, G. Venikouas, K. Heikinnen. Workshop: Technological Bottlenecks in CHISP Lasers, Paris, April 1-4, 2003.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.