Вышедшие номера
Остаточные напряжения в стержнях сапфира, выращиваемых способом Степанова
Крымов В.М.1, Носов Ю.Г.1, Бахолдин С.И.1, Галактионов Е.В.1, Маслов В.Н.1, Тропп Э.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: v.krymov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Поляризационно-оптическим методом исследованы остаточные напряжения в цилиндрических кристаллах сапфира ориентации [0001]. По величине расхождения изогир определялся угол оптических осей 2V и находилась разность нормальных компонент тензора упругих остаточных напряжений (sigmavarphi-sigmar). Найдено, что на поверхности слитка действуют тангенциальные растягивающие напряжения величиной не более 20 МPа. Проведено сравнение остаточных напряжений с расчетными величинами термоупругих напряжений, возникающих при выращивании кристалла в данной тепловой зоне. Показано, что найденная картина остаточных напряжений может быть вызвана термоупругими напряжениями, развивающимися в непосредственной близости от фронта кристаллизации.