Вышедшие номера
Влияние проводимости на диэлектрические характеристики кристалла триглицинсульфата в широком диапазоне частот
Овчинникова Г.И.1, Полякова И.Ю.1, Иванова Е.С.2, Гайнутдинов Р.В.2, Белугина Н.В.2, Толстихина А.Л.2, Гребенев В.В.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: ivanova.el.ser@gmail.com
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Измеренные в диапазоне частот от 10 до 1011 Hz диэлектрические спектры сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата проанализированы на основе представлений о заметном вкладе проводящей компоненты в диэлектрический отклик сегнетоэлектриков. С помощью контактной сканирующей резистивной микроскопии в режиме отображения растекания получено изображение линзовидного сегнетоэлектрического домена в кристалле триглицинсульфата и измерены фоновые токи и токи на доменной границе (токи фона 10-14 A, токи на доменной границе 10-12 A). Показано, что учет вклада проводимости в диэлектрические спектры дает хорошее согласие с экспериментом и позволяет получить дополнительную информацию о температурной динамике доменной структуры.