Издателям
Вышедшие номера
Прохождение электронов низких энергий через ультратонкие слои оксида фталоцианина олова
Комолов А.С.1, Лазнева Э.Ф.1, Герасимова Н.Б.1, Панина Ю.А.1, Барамыгин А.В.1, Ахремчик Я.В.1, Поволоцкий А.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.komolov@spbu.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Приведены результаты исследования прохождения электронов низких энергий через пленки оксида фталоцианина олова (IV) (SnOPc) толщиной до 8 nm на поверхности подложки окисленного кремния. Использована методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока (СПТ) при изменении энергии падающего пучка электронов от 0 до 25 eV. Установлена структура максимумов в спектрах полного тока пленок SnOPc, проведен анализ изменения интенсивностей максимумов спектров полного тока, исходящих от осаждаемой пленки SnOPc и от подложки (SiO2)n-Si в процессе увеличения толщины органического покрытия до 8 nm. При таком увеличении толщины органического покрытия происходит увеличение работы выхода поверхности на 0.7 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки (SiO2)n-Si к пленке SnOPc. Измерены спектры оптического поглощения пленок SnOPc. Проведено сравнение спектров поглощения и спектров, измеренных методом СПТ, для пленок SnOPc и пленок молекул бескислородного металлофталоцианина. Работа выполнена при поддержке грантов СПбГУ 11.38.219.2014 и РФФИ (N 14-03-00087а); использовано оборудование ресурсного центра СПбГУ "Оптические и лазерные методы исследования вещества".
  1. L. Grzadziel, M. Krzywiecki, H. Peisert, T. Chasse, J. Szuber. Org. Electron. 13, 10, 1873 (2012)
  2. J. Ren, Sh. Meng, Y.-L. Wang, X.-C. Ma, Q.-K. Xue, E. Kaxiras. J. Chem. Phys. 134, 194 706 (2011)
  3. M. Marks, S. Sachs, C.H. Schwalb, A. Scholl, U. Hofer. J. Chem. Phys. 139, 12, 124 701 (2013)
  4. J.L. Bredas, A.J. Heeger. Chem. Phys. Lett. 217, 507 (1994)
  5. S. Godlewski, M. Szymonski. Int. J. Molec. Sci. 14, 2, 2946 (2013)
  6. А.С. Комолов, Э.Ф. Лазнева, C.А. Пшеничнюк, А.А. Гавриков, Н.С. Чепилко, А.А. Томилов, Н.Б. Герасимова, А.А. Лезов, П.С. Репин. ФТП 47, 7, 948 (2013)
  7. D. Song, F. Zhu, B.Yu, L. Huang, Y. Geng, D. Yan. Appl. Phys. Lett. 92, 143 303 (2008)
  8. F. Babudri, G.M. Farinola, F. Naso, R. Ragni. Chem. Commun. 10, 1003 (2007)
  9. S. Bubel, A. Ringk, P. Strohriegl, R. Schmechel. Physica E 44 10, 2124 (2012)
  10. С.С. Карпова, В.А. Мошников, А.И. Максимов, С.В. Мякин, Н.Е. Казанцева. ФТП 47, 8, 1022 (2013)
  11. A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, V.N. Petrov, A.N. Titkov. Org. Electron. 12, 8, 1285 (2011)
  12. F. Meng, X. Yan, Y. Zhu, P. Si. Nanoscale Res. Lett. 8, 179 (2013)
  13. A. Modelli, D. Jones, S.A. Pshenichnyuk. J. Phys. Chem. C 114, 1725 (2010)
  14. A.S. Komolov, E.F. Lazneva, S.N. Akhremtchik, N.S. Chepilko, A.A. Gavrikov. J. Phys. Chem. C 117, 24, 12 633 (2013)
  15. S. Qu, Y. Gao, C. Zhao. Chem. Phys. Lett. 367, 767 (2003)
  16. A.S. Komolov, P.J. Moeller. Appl. Surf. Sci. 212-213, 497 (2003)
  17. A.S. Komolov, P.J. Moeller. Coll. Surf. A 239, 49 (2004)
  18. I. Bartos. Progr. Surf. Sci. 59, 197 (1998)
  19. С.А. Пшеничнюк, А.В. Кухто, И.Н. Кухто, А.С. Комолов. ЖТФ 81, 6, 8 (2011)
  20. S.A. Pshenichnyuk, A.S. Komolov. J. Phys. Chem. A 116, 1, 761 (2012)
  21. С.А. Комолов, Э.Ф. Лазнева, А.С. Комолов. Письма в ЖТФ 29, 23, 13 (2003)
  22. T. Graber, F. Forster, A. Schoell, F. Reinert. Surf. Sci. 605, 878 (2011)
  23. L. Yan, Y. Gao. Thin Solid Films 417, 101 (2002)
  24. I. Hill, D. Milliron, J. Schwartz, A. Kahn. Appl. Surf. Sci. 166, 354 (2000)
  25. A.S. Komolov, S.N. Akhremtchik, E.F. Lazneva. Spectrochim. Acta A 798, 708 (2011)
  26. Y. Stohr. NEXAFS spectroscopy. Springer, Berlin (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.