Издателям
Вышедшие номера
Деградация емкости межфазной границы SrRuO3/SrTiO3, индуцированная механическими напряжениями
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых промежуточный слой SrTiO3 толщиной в 700 nm интегрирован с двумя электродами SrRuO3. В верхнем электроде с использованием фотолитографии и ионного травления были сформированы два десятка контактных площадок (S~ 0.1 mm2). Нижний электрод SrRuO3, выращенный на подложке (001)MgO, являлся общим для всех пленочных конденсаторов на чипе. С понижением температуры в интервале 300-50 K емкость C конденсаторов возрастала более чем в два раза вследствие увеличения диэлектрической проницаемости varepsilon промежуточного слоя. При T=4.2 K уменьшение C при подаче на оксидные электроды напряжения смещения ±2.5 V составляло порядка 40%. В интервале температуры 100-300 K отношение varepsilon0/varepsilon практически линейно возрастало с температурой (varepsilon0 --- диэлектрическая проницаемость вакуума). При T>250 K тангенс угла диэлектрических потерь промежуточного слоя SrTiO3 экспоненциально возрастал с температурой и существенно зависел от напряжения смещения, поданного на оксидные электроды.
  1. R. Dittmann, R. Plonka, E. Vasco, N.A. Pertsev, J.Q. He, C.L. Jia, S. Hoffmann-Eifert, R. Waser. Appl. Phys. Lett, 83, 5011 (2003)
  2. A. Sharma, Z.-G. Ban, S.P. Alpay, J.V. Mantese. Appl. Phys. Lett. 85, 985 (2004)
  3. Yu.A. Boikov, E. Olsson, T. Claeson. Phys. Rev. B 74, 024 114-1 (2006)
  4. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  5. P.A. Cox, R.G. Egdell, J.B. Goodenough, A. Hamnett, C.C. Naish. J. Phys. C: 16, 6221 (1983)
  6. X. Fang, T. Kobayashi. J. Appl. Phys. 90, 162 (2001)
  7. A.G. Schrott, J.A. Misewich, V. Nagarajan, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 82, 4770 (2003)
  8. M. Julia. Phillips. J. Appl. Phys. 79, 1829 (1996)
  9. J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B 56 152 (1998)
  10. R.B. Wyckoff. J. Crystal Structures. 2nd ed. Interscience, NY (1964). V. 2. P. 394
  11. V. Srikant, E.J. Tarsa, D.R. Clarke, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 77, 1517 (1995)
  12. Luke S.-J. Peng, X.X. Xi, Brian H. Moeckly. Appl. Phys. Lett. 83, 4592 (2003)
  13. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C 336, 3-- 4, 300 (2000)
  14. E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 2351 (1990)
  15. A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D 29, 1321 (1996)
  16. G. Simmons. Appl. Phys. Lett. 6, 54 (1965)
  17. Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. ПЖТФ 30, 26 (2004)
  18. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 80, 4603 (2002)
  19. Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson, J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  20. R. Viana, P. Lunkenheimer, J. Hemberger, R. Bohmer, A. Loide. Phys. Rev. B 50, 601 (1994)
  21. J.R. Yeargan, H.L. Taylor. J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968)
  22. P. Dorenbos, H.W. den Hartog, R. Kruizinga, S. Vrind. Phys. Rev. B 35, 5774 (1987)
  23. O.N. Tufte, P.W. Chapman. Phys. Rev. 155, 796 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.