Издателям
Вышедшие номера
Эффект инжекционного обеднения в p-n-гетероструктурах на основе твердых растворов (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y, (Si2)1-x(CdS)x, (InSb)1-x(Sn2)x, CdTe1-xSx
Усмонов Ш.Н.1, Саидов А.С.1, Лейдерман А.Ю.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: sh_usmonov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 9 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур n-Si-p-(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0-0.5pt≤-0.5pt x-0.5pt≤-0.5pt0.91, 0-0.5pt≤-0.5pt y-0.5pt≤-0.5pt0.94), p-Si-n-(Si2)1-x(CdS)x (0-0.5pt≤-0.5pt x-0.5pt≤-0.5pt0.01), n-GaAs-p-(InSb)1-x(Sn2)x (0-0.5pt ≤-0.5pt x≤0.05), n-CdS-p-CdTe. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики таких структур имеют участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V0exp(Jad). Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольт-амперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Работа выполнена в рамках гранта Ф2-ФА-0-43917 фундаментальных исследований Комитета КРН и Т РУз.
  1. A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Solid State Commun. 27, 339 (1976)
  2. P.M. Karageorgy-Alkalaev, I.Z. Karimova, P.I. Knigin, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 34, 1, 391 (1976)
  3. А.А. Абакумов, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, И.Е. Каримова, П.И. Книгин, А.Ю. Лейдерман. ФТП 10, 3, 486 (1976)
  4. M.E. Gilenko, P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 78, 1, K165 (1981)
  5. В.В. Морозкин. ДАН УзССР 4, 40 (1976)
  6. А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Б. Сапаев, С.Ж. Каражанов, Д.В. Сапаров. ФТП 30, 6, 1036 (1996)
  7. А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ДАН РУз 5, 23 (2008)
  8. А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ФТП 43, 4, 436 (2009)
  9. Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Д. Сапаров, К.Т. Холиков. ФТП 43, 8, 1131 (2009)
  10. А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, У.П. Асатова. ФТП 44, 7, 970 (2010)
  11. Ш.Н. Усмонов, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТП 44, 3, 330 (2010)
  12. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 320 с
  13. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов. Тр. конф. Фундаментальные и прикладные вопросы физики". Ташкент (2003). 363 с
  14. В.И. Стафеев. ЖТФ 28, 9, 1631 (1958)
  15. M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. J. Appl. Phys. Lett. 75, 22, 3503 (1999)
  16. K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys. 12, 1641 (1973)
  17. S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatov. Ukr. J. Phys. 51, 1125 (2006)
  18. K. Zanio. In: Semiconductors and semimals. Academic Press (1978). V. 4
  19. Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Под ред. А.Н. Георгибиани, М.К. Шейкмана. Наука, М. (1986). 320 с
  20. А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, А.Н. Курмантаев, А.Н. Бахтибаев. ФТТ 55, 1, 36 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.