Издателям
Вышедшие номера
Эффект инжекционного обеднения в p-n-гетероструктурах на основе твердых растворов (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y, (Si2)1-x(CdS)x, (InSb)1-x(Sn2)x, CdTe1-xSx
Усмонов Ш.Н.1, Саидов А.С.1, Лейдерман А.Ю.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: sh_usmonov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 9 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур n-Si-p-(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0-0.5pt≤-0.5pt x-0.5pt≤-0.5pt0.91, 0-0.5pt≤-0.5pt y-0.5pt≤-0.5pt0.94), p-Si-n-(Si2)1-x(CdS)x (0-0.5pt≤-0.5pt x-0.5pt≤-0.5pt0.01), n-GaAs-p-(InSb)1-x(Sn2)x (0-0.5pt ≤-0.5pt x≤0.05), n-CdS-p-CdTe. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики таких структур имеют участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V0exp(Jad). Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольт-амперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Работа выполнена в рамках гранта Ф2-ФА-0-43917 фундаментальных исследований Комитета КРН и Т РУз.
  • A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Solid State Commun. 27, 339 (1976)
  • P.M. Karageorgy-Alkalaev, I.Z. Karimova, P.I. Knigin, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 34, 1, 391 (1976)
  • А.А. Абакумов, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, И.Е. Каримова, П.И. Книгин, А.Ю. Лейдерман. ФТП 10, 3, 486 (1976)
  • M.E. Gilenko, P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 78, 1, K165 (1981)
  • В.В. Морозкин. ДАН УзССР 4, 40 (1976)
  • А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Б. Сапаев, С.Ж. Каражанов, Д.В. Сапаров. ФТП 30, 6, 1036 (1996)
  • А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ДАН РУз 5, 23 (2008)
  • А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ФТП 43, 4, 436 (2009)
  • Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Д. Сапаров, К.Т. Холиков. ФТП 43, 8, 1131 (2009)
  • А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, У.П. Асатова. ФТП 44, 7, 970 (2010)
  • Ш.Н. Усмонов, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТП 44, 3, 330 (2010)
  • Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 320 с
  • Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов. Тр. конф. Фундаментальные и прикладные вопросы физики". Ташкент (2003). 363 с
  • В.И. Стафеев. ЖТФ 28, 9, 1631 (1958)
  • M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. J. Appl. Phys. Lett. 75, 22, 3503 (1999)
  • K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys. 12, 1641 (1973)
  • S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatov. Ukr. J. Phys. 51, 1125 (2006)
  • K. Zanio. In: Semiconductors and semimals. Academic Press (1978). V. 4
  • Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Под ред. А.Н. Георгибиани, М.К. Шейкмана. Наука, М. (1986). 320 с
  • А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, А.Н. Курмантаев, А.Н. Бахтибаев. ФТТ 55, 1, 36 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.