Издателям
Вышедшие номера
Влияние характера пробоя p-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Шмагин В.Б.1, Ремизов Д.Ю.1, Красильник З.Ф.1, Кузнецов В.П.1, Шабанов В.Н.1, Красильникова Л.В.1, Крыжков Д.И.1, Дроздов М.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: shm@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

На примере серии светоизлучающих диодных структур Si : Er / Si с плавно меняющимся механизмом пробоя p-n-перехода, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, исследовано влияние механизма пробоя на электролюминесцентные свойства структур. Показано, что максимальные интенсивности и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er3+ при комнатной температуре достигаются в диодных структурах, работающих в режиме смешанного пробоя. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16773), Минпромнауки РФ (Госконтракт N 40.020.1.1.1159).
  • H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983)
  • H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, W. Haydl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett. 46, 381 (1985)
  • G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys. 81, 2784 (1997)
  • G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1994)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett. 71, 1930 (1997)
  • S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. Appl. Phys. Lett. 69, 2077 (1996)
  • N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishhenkov. J. Lumin. 80, 315 (1999)
  • В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП 34, 519 (2000)
  • Е.Н. Морозова, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 283 (2003)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Ч. 1. С. 106
  • И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Энергия, Л. (1980). 152 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.