Вышедшие номера
Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
Дорохин М.В.1, Павлов Д.А.2, Бобров А.И.2, Данилов Ю.А.1, Дёмина П.Б.1, Звонков Б.Н.1, Здоровейщев А.В.1, Кудрин А.В.2, Малехонова Н.В.2, Малышева Е.И.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Продемонстрирована возможность эпитаксиального выращивания слоев ферромагнитного галлида марганца Mn3Ga5 на поверхности (100) GaAs. Ферромагнитные свойства эпитаксиального Mn3Ga5 при комнатной температуре оценивались исходя из измерений аномального эффекта Холла. Сформирована диодная структура на основе контакта Mn3Ga5/GaAs, проведено измерение низкотемпературной электролюминесценции такого диода. Возможность получения электролюминесценции и высокое кристаллическое совершенство исследованных структур свидетельствуют о перспективах их применения в светоизлучающих диодах со спиновой инжекцией. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ (N 13-02-97140, 13-07-00982, 14-07-31280) и Президента РФ (МК-2708.2013.2).
  1. А. Ферт. УФН 178, 1336 (2008)
  2. N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H.T. Jonkman, B.J. van Wees. Nature 448, 571 (2007)
  3. V.M. Karpan, P.A. Khomyakov, A.A. Starikov, G. Giovannetti, M. Zwierzycki, M. Talanana, G. Brocks, J. Van Den Brink, P.J. Kelly. Phys. Rev. B 78, 195 419 (2008)
  4. A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature 499, 419 (2013)
  5. K.C. Hwang. J. Phys. D 43, 374 001 (2010)
  6. R. Fleet, H. Kobayashi, Y. Ohno, J.-Y. Kim, C.H.W. Barnes, A. Hirohata. J. Appl. Phys. 109, 07С504 (2011)
  7. А. Koma, К. Yoshimura. Surf. Sci. 174, 556 (1986)
  8. W. Jaegermann, A. Klein, C. Pettenkofer. In: Electron spectroscopies applied to low-dimensional materials / Eds H.P. Hughes, H.I. Stamberg. Kluwer, Dordrecht (2002). P. 317
  9. A. Koma. Prog. Cryst. Growth Charact. 30, 129 (1995)
  10. A. Klein, O. Lang, R. Schlaf, C. Pettenkofer, W. Jaegermann. Phys. Rev. Lett. 80, 361 (1998)
  11. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова, А.А. Книжник, Д.Н. Красиков. УФН 181, 233 (2011)
  12. Г.Г. Сихарулидзе. ЖТФ 67, 82 (1997)
  13. М.В. Горохов, В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, А.В. Анкудинов, А.А. Ситникова, С.А. Гуревич. ЖТФ 82, 135 (2012)
  14. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. Письма в ЖТФ 33, 80 (2007)
  15. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, В.В. Нетяга, З.Р. Кудринский, О.С. Литвин. ФТП 46, 356 (2012)
  16. S. Amini, J. Garay, G. Liu, A.A. Balandin, R. Abbaschian. J. Appl. Phys. 108, 094 321 (2010)
  17. K.H. Bennemann. J. Phys.: Cond. Matter 23, 073 202 (2011)
  18. Т.Л. Макарова. ФТП 38, 641 (2004)
  19. А.И. Дмитриев, В.В. Вишняк, Г.В. Лашкарев, В.Л. Карбовский, З.Д. Ковалюк, А.П. Бахтинов. ФТТ 53, 579 (2011)
  20. С.И. Драпак, С.В. Гаврилюк, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТП 42, 423 (2008)
  21. A. Baraldi. J. Phys.: Cond. Matter 20, 093 001 (2008)
  22. H. Iwakuro, С. Tatsuyama, S. Ichimura. Jpn. J. Appl. Phys. 21, 94 (1982)
  23. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, О.С. Литвин. ФТП 44, 180 (2010)
  24. М.В. Горохов, В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич. ЖТФ 78, 46 (2008)
  25. I.T. McGovern, J.F. McGilp, G.J. Hughes, A. McKinley, R.H. Williams, D. Norman. Vacuum 33, 607 (1983)
  26. M. Eddrief, Y. Wang, V.H. Etgens, D.H. Mosca, J.-L. Maurice, J.M. Jeorge, A. Fert, S. Bourgognou. Phys. Rev. B 63, 094 428 (2001)
  27. Gy.J. Kovacs, I. Bertoti, G. Radnoczi. Thin Solid Films 516, 7942 (2008)
  28. T. Ujvari, A. Toth, Gy.J. Kovacs, G. Safran, O. Geszti, G. Radnoczi, I. Bertoti. Surf. Interface Anal. 36, 760 (2004)
  29. G. Abrasonis, A.C. Scheinost, S. Zhou, R. Torres, R. Gago, I. Jimenez, K. Kuepper, K. Potzger, M. Krause, A. Kolitsch, W. Moller, S. Bartkowski, M. Neumann, R.R. Gareev. J. Phys. Chem. C 112, 12 628 (2008)
  30. A.P. Grosvenor, M.C. Biesinger, R.St.C. Smart, N.S. McIntyre. Surf. Sci. 600, 1771 (2006)
  31. O. Mamezaki, H. Adachi, S. Tomita, M. Fujii, S. Hayashi. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 6680 (2000)
  32. J. Tamayo, R. Garcia. Appl. Phys. Lett. 73, 2926 (1998)
  33. A. Mechler, J. Kokavecz, P. Heszler, R. Lal. Appl. Phys. Lett. 82, 3740 (2003)
  34. G. Abrasonis, T.W.H. Oates, Gy.J. Kovacs, J. Grenzer, P.O.A. Persson, K.-H.H. Heinig, A. Martinavicius, N. Jeutter, C. Baehtz, M. Tucker, M.M.M. Bilek, W. Moller. J. Appl. Phys. 108, 043 503 (2010)
  35. F. Banhart, J.-C. Charlier, P.M. Ajayan. Phys. Rev. Lett. 84, 686 (2000)
  36. Q. Yu, J. Lian, S. Siriponglert, H. Li, Y.P. Chen, S.-S. Pei. Appl. Phys. Lett. 93, 113 103 (2008)
  37. S. Kinge, M. Crego-Calama, D. Reinhoudt. Chem. Phys. Chem. 9, 20 (2008)
  38. А.П. Бахтинов, В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринский, О.С. Литвин, А.Д. Шевченко. ФТТ 55, 1063 (2013)
  39. A. Rastelli, M. Stoffel, J. Tersoff, G.S. Kar, O.G. Smidt. Phys. Rev. Lett. 95, 026 103 (2005)
  40. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, B.И. Иванов, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТТ 55, 163 (2013)
  41. J. Lahiri, T.S. Miller, A.J. Ross, L. Adamska, I.I. Oleynik, M. Batzill. New J. Phys. 13, 025 001 (2011)
  42. J. Lahiri, M. Batzill. Appl. Phys. Lett. 97, 023 102 (2010)
  43. M. Sicot, P. Leicht, A. Zusan, S. Bouvron, O. Zander, M. Weser, Yu.S. Dedkov, K. Horn, M. Fonin. ACS Nano 6, 151 (2012)
  44. А.M. Bratkovsky. Rep. Progr. Phys. 71, 026 502 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.