Издателям
Вышедшие номера
Особенности оптических и электрических свойств поликристаллических пленок CdTe, изготовленных методом термического испарения
Брус В.В.1, Солован М.Н.1, Майструк Э.В.1, Козярский И.П.1, Марьянчук П.Д.1, Ульяницкий К.С.1, Rappich J.2
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
Email: m.solovan@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Представлены результаты исследований физических свойств тонких пленок CdTe, полученных методом термического испарения. Определены оптические константы и ширина запрещенной зоны исследуемых пленок (Eg = 1.46 eV). На основании исследования оптических свойств и спектра комбинационного рассеяния пленок установлено, что они обладают высоким структурным совершенством. Определена энергия активации проводимости пленок CdTe Ea = 0.039 eV. Измеренные спектральные зависимости импеданса тонких пленок CdTe характерны для неоднородной среды с двумя постоянными времени: taugb = RgbCgb = 1/omegagb = 1.62·10-3 s и taug = RgCg = 1/omegag = 9.1·10-7 s для границ зерен и кристаллитов соответственно.
  • T.L. Chu, S.S. Chu. Solid State Electron. 38, 533 (1995)
  • S. Chandra, S. Tripura Sundari, G. Raghavan, A.K. Tyagi. J. Phys. D 36, 2121 (2003)
  • H.R. Moutinho, F.S. Hasoon, F. Abulfotuh, L.L. Kazmerski, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2877 (1995)
  • G.K. Padam, G.L. Malhotra. Mater. Res. Bull. 24, 595 (1989)
  • A. Gupta, V. Parikh, A.D. Compaan. Solar Energy Mater. Solar Cells 90, 2263 (2006)
  • T.M. Razykov, G. Contreras-Puente, G.C. Chornokur, M. Dybjec, Yu. Emirov, B. Ergashev, C.S. Ferekides, A. Hubbimov, B. Ikramov, K.M. Kouchkarov, X. Mathew, D. Morel, S. Ostapenko, E. Sanchez-Meza, E. Stefanakos, H.M. Upadhyaya, O. Vigil-Galan, Yu.V. Vorobiev. Solar Energy 83, 90 (2009)
  • S. Sivananthan, X. Chu, J. Reno, J.P. Faurie. J. Appl. Phys. 60, 1359 (1986)
  • M.C. Nuss, D.W. Kisker, P.R. Smith, T.E. Harvey. Appl. Phys. Lett. 54, 57 (1989)
  • X. Mathew, P.J. Sebastian. Solar Energy Mater. Solar Cells 59, 85 (1999)
  • D. Lincot, A. Kampmann, B. Mokili, J. Vedel, R. Cortes, M. Froment. Appl. Phys. Lett. 67, 2355 (1995)
  • I. Spinulescu-Carnaru. Phys. Status Solidi B 15, 761 (1966)
  • М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП 47, 1185 (2013)
  • М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП 48, 232 (2014)
  • V.V. Brus. Solar Energy 86, 1600 (2012)
  • J.P. Punpon. Solid State Electron. 28, 689 (1985)
  • S. Jimenez-Sandoval. Microelectron. J. 31, 419 (2000)
  • M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin. Semicond. Sci. Technol. In press
  • R. Ochoa-Landirn, O. Vigil-Galan, Y.V. Vorobiev, R. Ramirrez-Bon. Solar Energy 83, 134 (2009)
  • R. Swanepoel. J. Phys. E 16, 1214 (1983)
  • J. Sanchez-Gonzalez, A. Diaz-Parralejo, A.L. Ortiz, F. Guiberteau. Appl. Surf. Sci. 252, 6013 (2006)
  • S. Ilican, M. Gaglar, Y. Gaglar. Mater. Sci. Pol. 25, 709 (2007)
  • В.В. Брус, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук. ЖТФ 82, 8, 110 (2012)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. Наука, М. (1977). 366 с
  • K. Zanio. Semiconductors and semimetals. Academic Press, NY (1978)
  • V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol. 26, 125 006 (2011). [26M.B. Ortuno-Lopez, J.J. Valenzuela-Jauregui, R. Ramirez-Bon, E. Prokhorov, J. Gonzalez-Hernandez. J. Phys. Chem. Solids 63, 665 (2002)
  • A. Azan, A.S. Ahmed, M. Charman, A.H. Naqvi. J. Appl. Phys. 108, 094 329 (2010)
  • В.В. Брус. ФТП 46, 135 (2012)
  • V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol. 27, 035 024 (2012)
  • V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol. 28, 025 013 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.