Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок на основе молекул азиридинилфенилпирролофуллерена (АФП-C₆₀) толщиной до 8 nm на поверхность подложки окисленного кремния. Использована методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 eV. Установлена структура максимумов в спектрах полного тока пленок АФП-C₆₀, определен характер взаимосвязи этих максимумов с pi^*- и sigma^*-энергетическими зонами в исследованных материалах. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от осаждаемой пленки АФП-C₆₀ и от подложки (SiO₂)n-Si, обнаружено, что пленка АФП-C₆₀ формируется на ранней стадии осаждения при толщине покрытия менее одного монослоя без формирования промежуточного модифицированного органического слоя. По мере формирования интерфейса АФП-C₆₀/(SiO₂)n-Si происходит увеличение работы выхода поверхности на 0.7 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки (SiO₂)n-Si в сторону пленки АФП-C₆₀. Измерены спектры оптического поглощения пленок АФП-C₆₀, проведено их сравнение со спектрами пленок незамещенного C₆₀. Работа выполнена при поддержке гранта СПбГУ 11.38.219.2014 и РФФИ (гранты N 14-03-00087-а, 14-03-00187-а); использовано оборудование Ресурсного центра СПбГУ "Оптические и лазерные методы исследования вещества" и Ресурсного центра СПбГУ "Центр диагностики функциональных материалов для медицины, фармакологии и наноэлектроники".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.