Вышедшие номера
Электрические свойства кластеров теллура в подрешетке пустот кристаллов опала. Роль интерфейса Te--SiO2
Березовец В.А.1,2, Богомолов В.Н.1, Фарбштейн И.И.1, Нижанковский В.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Международная магнитная лаборатория, 53-421 Вроцлав, Польша
Email: Iosif.Farbshtein@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Исследована температурная зависимость сопротивления и эффекта Холла у нанокластерных кристаллов теллура, полученных путем заполнения пустот диэлектрической матрицы (опал) расплавом чистого и легированного Te. Обнаружено аномальное возрастание холловской концентрации дырок peff (более чем на два порядка) при охлаждении образца, изготовленного из чистого Te, до гелиевых температур. При T=1.45 K у этого образца peff=~6·1017 cm-3. В то же время оказалось, что у этого образца при T=~200 K происходит смена знака эффекта Холла с положительного при T<200 K на отрицательный при высоких температурах. Это свидетельствует о малой концентрации примеси (NA по крайней мере <1015 cm-3). В случае нанокластерного кристала из легированного Te этой аномалии не неблюдается - peff=~6·1017 cm-3 во всей области температур, как и в исходном Te. Обнаруженные особенности связываются с появлением при низких температурах двумерного проводящего аккумулирующего слоя в области интерфейса Te - аморфный SiO2 (материал опала), определяющего низкотемпературные свойства нанокластерного кристалла, изготовленного из чистого Te. Фактически получена модель трехмерной структуры, образованной из двумерной пленки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-16894), МНТП ФТНС N 97-1041 и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры".
  1. В.Г. Балакирев, В.Н. Богомолов, В.В. Журавлев, Ю.А. Кумзеров, В.П. Петрановский, С.Г. Романов, Л.А. Самойлович. Кристаллография 38, 3, 111 (1993)
  2. В.Н. Богомолов, Т.М. Павлова. ФТП 29, 5, 826 (1995)
  3. В.Н. Богомолов, Л.М. Сорокин, Д.А. Курдюмов, Т.М. Павлова, Дж. Хатчисон. ФТТ 39, 11, 2090 (1997)
  4. C.M. Sotomayor Torres, T. Maka, M. Muller, R. Zentel, S. Romanov. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostrustures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia (2000). P. 224
  5. В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Михорек, А. Ежовский. ФТТ 43 (2002) (в печати)
  6. В.А. Березовец, И.И. Фарбштейн, А.Л. Шеланков. ФТТ 25, 5, 2988 (1983)
  7. М.В. Глушков, Е.С. Ицкевич, Ю.В. Косичкин, А.И. Надеждинский, А.Н. Толмачев, А.М. Широков. ЖЭТФ 71, 9 1239 (1976)
  8. H. Roth. J. Phys. Chem. Solids 8, 525 (1959)
  9. В.А. Березовец, И.И. Фарбштейн. ФТП 29, 5/6, 965 (1995)
  10. V.N. Bogomolov, N.F. Feoktistov, V.G. Golubev, J.L. Hutchison, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, J. Sloan, L.M. Sorokin. Inst. Phys. Conf. Ser. N 164, 533 (1999)
  11. V.N. Bogomolov. Phys. Rev. B51, 23, 17040 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.