Вышедшие номера
Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки GaN
Кукушкин С.А.1, Бессолов В.Н.2, Осипов А.В.1, Лукьянов А.В.3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Фонд поддержки науки и образования, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Изложены результаты теоретического анализа процессов роста на стадиях зарождения и оствальдовского созревания островков GaN в интервале температур 480-1000oC на поверхности подложки, покрытой буферным слоем AlN. Показано следующее. (1) При температурах (T>650oC) рост отровков контролируется химической реакцией образования молекул нитрида галлия вдоль контура поверхности островка. Зарождающиеся в этой температурной области островки имеют широкий спектр размеров. (2) При температурах (T<600oC) рост островков контролируется поверхностной диффузией атомов азота. Зарождающиеся при этой температуре островки имеют практически одинаковые размеры. (3) При температурах 600-650oC происходит постепенное изменение механизма роста островков --- от поверхностной диффузии, контролируемой диффузией азота с большой длиной свободного пробега, к процессу, контролируемому диффузией галлия с меньшей длиной свободного пробега. Вычислены значения пересыщения, потока и функции распределения зародышей GaN по размерам при разных температурах подложки. Построены диаграммы, описывающие эволюцию фазового состава островков GaN в зависимости от температуры. Авторы считают своим приятным долгом поблагодарить Санкт-Петербургский научный центр РАН, Фонд поддержки науки и образования (Санкт-Петербург) и Российский фонд фундаментальных исследований (гранты N 02-0217216 и 02-0332471) за финансовую поддержку работы. Один из авторов (В.Н.Б.) пользовался также поддержкой программы "Поверхностные атомные структуры" (грант N 5-4-99).
  1. S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys. 87, 968 (2000)
  2. M. Hiroki, H. Asahi, H. Tampo, K. Asami, S. Gonda. J. Cryst. Growth 209, 387 (2000)
  3. С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов. ФТТ 43, 2135 (2001)
  4. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998)
  5. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсионные системы на поверхности твердых тел. Наука, СПб. (1996). 304 с
  6. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J.L. Rouviere, N. Pelekanov. J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998)
  7. S.W. King, E.P. Carlson, R.J. Therrien, J.A. Christman, R.J. Nemanich, R.F. Davis. J. Appl. Phys. 86, 5584 (1999)
  8. R.S.Q. Fareed, J.W. Yang, J. Zhang, V. Adivarahan, V. Chaturvedi, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett. 77, 2343 (2000)
  9. J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffer, J. Northrup. Appl. Surf. Sci. 159--160, 355 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.