Издателям
Вышедшие номера
Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки GaN
Кукушкин С.А.1, Бессолов В.Н.2, Осипов А.В.1, Лукьянов А.В.3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Фонд поддержки науки и образования, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Изложены результаты теоретического анализа процессов роста на стадиях зарождения и оствальдовского созревания островков GaN в интервале температур 480-1000oC на поверхности подложки, покрытой буферным слоем AlN. Показано следующее. (1) При температурах (T>650oC) рост отровков контролируется химической реакцией образования молекул нитрида галлия вдоль контура поверхности островка. Зарождающиеся в этой температурной области островки имеют широкий спектр размеров. (2) При температурах (T<600oC) рост островков контролируется поверхностной диффузией атомов азота. Зарождающиеся при этой температуре островки имеют практически одинаковые размеры. (3) При температурах 600-650oC происходит постепенное изменение механизма роста островков --- от поверхностной диффузии, контролируемой диффузией азота с большой длиной свободного пробега, к процессу, контролируемому диффузией галлия с меньшей длиной свободного пробега. Вычислены значения пересыщения, потока и функции распределения зародышей GaN по размерам при разных температурах подложки. Построены диаграммы, описывающие эволюцию фазового состава островков GaN в зависимости от температуры. Авторы считают своим приятным долгом поблагодарить Санкт-Петербургский научный центр РАН, Фонд поддержки науки и образования (Санкт-Петербург) и Российский фонд фундаментальных исследований (гранты N 02-0217216 и 02-0332471) за финансовую поддержку работы. Один из авторов (В.Н.Б.) пользовался также поддержкой программы "Поверхностные атомные структуры" (грант N 5-4-99).
  • S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys. 87, 968 (2000)
  • M. Hiroki, H. Asahi, H. Tampo, K. Asami, S. Gonda. J. Cryst. Growth 209, 387 (2000)
  • С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов. ФТТ 43, 2135 (2001)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998)
  • С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсионные системы на поверхности твердых тел. Наука, СПб. (1996). 304 с
  • F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J.L. Rouviere, N. Pelekanov. J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998)
  • S.W. King, E.P. Carlson, R.J. Therrien, J.A. Christman, R.J. Nemanich, R.F. Davis. J. Appl. Phys. 86, 5584 (1999)
  • R.S.Q. Fareed, J.W. Yang, J. Zhang, V. Adivarahan, V. Chaturvedi, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett. 77, 2343 (2000)
  • J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffer, J. Northrup. Appl. Surf. Sci. 159--160, 355 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.