Исследовано влияние гравитационных условий во время кристаллизации теллура (от микрогравитации до повышенной гравитации - 5g₀) на концентрацию нейтральных (N_D) и электрически активных (N_AD) структурных дефектов акцепторного типа в образцах, выращенных как при полной переплавке исходного слитка, так и при направленной перекристаллизации слитка с затравкой. Концентрации N_AD и N_D и их распределение по длине образцов определялись из анализа электрических характеристик (проводимость и эффект Холла), измеренных вдоль слитков в интервале температур 1.6-300 K. Вычислены вклады различных механизмов в рассеяние дырок на основе анализа температурного хода подвижности. Результаты сопоставлены с характеристиками образцов, выращенных по аналогичной программе в нормальных условияx. Присутствие N_AD характерно для начальной стадии кристаллизации всех образцов. Величина N_AD существенно ниже, чем N_D~ 10¹⁸ cm^-3 (N_AD~ 10¹⁵ cm^-3), и экспоненциально уменьшается по мере кристаллизации образца. При полной переплавке в условиях микрогравитации обнаружены признаки сильного переохлаждения и спонтанной кристаллизации, а также осцилляции сопротивления образца по его длине, обусловленные модуляцией N_D. Эти особенности связываются со спецификой плавления и кристаллизации в невесомости: с явлением отрыва расплава от стенки ампулы и возрастающей ролью конвекции Марангони.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.