Издателям
Вышедшие номера
Изменение электронных и адсорбционных свойств GaAs(100) при переходе от As-обогащенной к Ga-обогащенной поверхности
Бенеманская Г.В.1, Дайнека Д.В.1, Франк-Каменецкая Г.Э.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии исследовано изменение электронных свойств при адсорбции Cs на GaAs(100) при последовательном переходе от поверхности, обогащенной As, к поверхности, обогащенной Ga. Изучены ионизационная энергия и интегральный фотоэмиссионный ток в зависимости от Cs-покрытия. Установлено, что минимум ионизационной энергии и соответствующая доза Cs существенно различаются для обогащенной As и обогащенной Ga поверхностей GaAs(100). Впервые обнаружены аномальные кривые с двумя минимумами ионизационной энергии, которые наблюдаются для поверхностей в промежуточном состоянии с димерами Ga и с димерами As. Установлено, что коэффициент прилипания Cs на поверхности, обогащенной As, в несколько раз меньше, чем на поверхности, обогащенной Ga. Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16802 и гранта в рамках программы N 1-107 Министерства промышленности, науки и технологий РФ.
  • M. Vitomirov, A.D. Raisenen, A.C. Finnefrock, R.E. Viturro, L.J. Brillson. J. Vac. Sci. Technol. B10, 1898 (1992)
  • W. Chen, M. Dumas, D. Mao, A. Kahn. J. Vac. Sci. Technol. B10, 1886 (1992)
  • V. Chizhov, G. Lee, R.F. Willis, D. Lubyshev, D.L. Miller. Surf. Sci. 419, 1 (1998)
  • K.B. Bielgelsen, R.D. Bringans, J.E. Northrup, L.-E. Swartz. Phys. Rev. B41, 5701 (1990)
  • D. Rodway. Surf. Sci. 147, 103 (1984)
  • G. Vergara, A. Herrera-Gomez, W.E. Spicer. Surf. Sci. 436, 83 (1999)
  • M. Kamaratos, E. Bauer. J. Appl. Phys. 70, 7564 (1991)
  • D. Paget, B. Kierren, R. Houdre. J. Vac. Sci. Technol. A16, 2350 (1998)
  • B. Reihl, R. Dudde, L.S.O. Johansson. Appl. Surf. Sci. 56--58, 123 (1992)
  • G.V. Benemanskaya, D.V. Daineka, G.E. Frank-Kamenetskaya. Surf. Rev. Lett. 5, 91 (1998)
  • A. Liebsch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin. Surf. Sci. 302, 303 (1994)
  • Г.В. Бенеманская, М.Н. Лапушкин, М.И. Урбах. ЖЭТФ 102, 1664 (1992)
  • G.V. Benemanskaya, D.V. Daineka, G.E. Frank-Kamenetskaya. Solid State Commun. 114, 285 (2000)
  • D. Heskette, T. Maeda Wong, A.J. Smith, W.R. Graham, N.J. DiNardo, E.W. Plummer. J. Vac. Sci. Technol. B7, 915 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.