Издателям
Вышедшие номера
Прыжковый механизм переноса заряда в квазикристаллах бора и его соединений
Гудаев О.А.1, Малиновский В.К.1
1Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: malinovsky@iae.nsk.su
Поступила в редакцию: 7 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Проведен анализ большого количества экспериментальных данных по проводимости бора и высокобористых соединений в широком интервале температур. Показано, что температурную зависимость проводимости нет необходимости описывать, как это принято, суммой нескольких экспонент, соответствующих разным механизмам переноса заряда: от проводимости по нелокализованным состояниям при высоких температурах до прыжкового переноса по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми при низких температурах. В широком интервале температур проводимость подчиняется либо степенному, либо обратному аррениусовскому закону. Различие связано со структурными особенностями материалов, с глубиной пространственного потенциального рельефа и с участием или неучастием поляронов в переносе зарядов. Для ряда соединений наблюдался переход от степенной зависимости к обратному закону Аррениуса при повышении температуры. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-16697).
  • Н. Мотт, Э Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1983). Т. 1, 2
  • О.А. Гудаев, В.К. Малиновский. ФТТ 37, 1, 79 (1995)
  • О.А. Гудаев, В.К. Малиновский. ФТТ 34, 2, 548 (1992)
  • О.А. Гудаев, В.К. Малиновский. ФХС 26, 4, 522 (2000)
  • D. Emin, G. Samara, L. Azevedo. J. Less-Comm. Met. 117, 415 (1986)
  • C. Wood, D. Emin. Phys. Rev. B29, 8, 4582 (1984)
  • O.A. Golikova. Phys. Stat. Sol. (a) 101, 277 (1987)
  • О.А. Голикова. УФН 158, 4, 581 (1989)
  • D. Emin. Phys. Today January, 55 (1987)
  • О.А. Голикова. ФТТ 29, 9, 2869 (1987)
  • О.А. Голикова, Н. Аманджанов, А.А. Таджиев. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук 1, 85 (1989)
  • О.А. Голикова, С. Саматов. Бор и его полупроводниковые соединения. Фан, Ташкент (1988). 40 с
  • J.M. Dusseau, T.P. Lepetre, J.L. Robert, B. Pistoulet. J. Less-Comm. Met. 47, 135 (1976)
  • О.А. Голикова. ФТП 26, 9, 1604 (1992)
  • О.А. Голикова. ФТП 34, 3, 369 (2000)
  • Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978)
  • Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. Мир, М. (1982). 424 с
  • H. Werheit, K.De Groot, W. Malkemper. J. Less-Comm. Met. 82, 163 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.