Издателям
Вышедшие номера
Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si / GexSi1-x / Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Кеслер В.Г.1, Логвинский Л.М.1, Машанов В.И.1, Пчеляков О.П.1, Ульянов В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kesler@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 30 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Проведено исследование распределения компонентов по толщине гетероструктур GeSi, выращенных на низкотемпературном кремнии (НТSi, Tgr~350-400oC) и пористом кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии. С помощью Оже-профилирования обнаружена повышенная концентрация Ge на границе раздела GexSi1-x/НТSi, которая уменьшалась на всех образцах, прошедших отжиг. Рассчитанная величина энергии активации диффузии Ge в этом случае составила Ea~1.6 eV. Кроме того, методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии зафиксирована повышенная концентрация Ge на поверхности защитного слоя Si. Рассматриваются возможные причины обогащения поверхности слоя кремния и пограничного слоя пленки GexSi1-x германием, обсуждается взаимосвязь между распределением компонентов и структурными особенностями пластически релаксированных слоев. Работа выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 00-02-17638, 00-02-17461 и 00-15-96806).
  • А.К. Гутаковский, С.И. Романов, О.П. Пчеляков, В.И. Машанов, Л.В. Соколов, И.В. Ларичкин. Изв. РАН. Сер. физ. 168, 2, 255 (1998)
  • H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, J.M. Zhou. J. Appl. Phys. 79, 2, 1167 (1996)
  • J.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, J.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett. 71, 21, 3132 (1997)
  • J.H. Li, C.S. Peng, Z.H. Mai, J.M. Zhou, Q. Huang, D.Y. Dai. J. Appl. Phys. 86, 3, 1292 (1999)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Solid Films 392, 98 (2001)
  • O. Millo, A. Many, Y. Goldstein. J. Vac. Sci. Technol. A7(4), Jul/Aug, 2688 (1989)
  • K. Nakagawa, M. Miyao. J. Appl. Phys. 69, 3058 (1991)
  • S. Fukatsu, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett. 59, 17, 2103 (1991)
  • Z. Lu, J.-M. Baribeau, D. Lockwood. J. Appl. Phys. 76, 6, 3911 (1994)
  • S. Zaima, Y. Yasuda. J. Cryst. Growth 162, 1--2, 105 (1996)
  • D.J. Godbey, J.V. Lill, J. Deppe, K.D. Hobart. Appl. Phys. Lett. 65, 6, 711 (1994)
  • D.J. Godbey, M.G. Ancona. Surf. Sci. 395, 1, 60 (1998)
  • G.G. Gernigan, P.E. Tompson, C.L. Silvestre. Appl. Phys. Lett. 69, 13, 1894 (1996)
  • Yun Li, G.G. Hembree, J.A. Venables. Appl. Phys. Lett. 67, 2, 276 (1995)
  • S. Hofmann. Rep. Prog. Phys. 61, 827 (1998)
  • A. Zalar, S. Hofmann, P. Panjan. Vacuum 48, 625 (1997)
  • J.C. Phillips, J.A. Van Vechten. Phys. Rev. Lett. 30, 6, 220 (1973)
  • M.C. Joncour, M.N. Carasse, K. Burgeat. J. Appl. Phys. 58, 9, 1253 (1985)
  • Н.В. Номероцкий, О.П. Пчеляков, Е.М. Труханов. Поверхность. Физика, химия, механика 2, 57 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.