Вышедшие номера
Магнитоиндуцированный валентный переход в EuNi2(Si1-xGex)2 в полях до 500 T
Платонов В.В.1, Таценко О.М.1, Селемир В.Д.1, Шига М.2
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-01, Japan
Email: Platonov@ntc.vniief.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Измерены критические поля индуцированного магнитным полем валентного перехода в соединении EuNi2(Si1-xGex)2 в области промежуточной валентности с x=0.5-0.75. Магнитоиндуцированный валентный переход наблюдался в области низких концентраций вплоть до x=0.5. Показано, что величина критического поля линейно увеличивается с уменьшением концентрации германия. Работа выполнена при поддержке Министерства по атомной энергии РФ.
  1. H. Wada, A. Nakamura, A. Mitsuda, M. Shida, T. Tanaka, H. Mitamura, T. Goto. J. Phys: Condens. Matter 9, 7913 (1997)
  2. E.V. Sampathkumaran, L.C. Gupta, R. Vjiayaraghavan, K.V. Gopalakrishnan, R.G. Pillay, H.G. Devare. J. Phys. C: Solid State Phys. 14, L237 (1981)
  3. А.И. Павловский, Р.З. Людаев. В сб.: Вопросы современной экспериментальной науки и техники / Под ред. А.П. Александрова. Наука, Л. (1984). С. 206
  4. A. Mitsuda, H. Wada, M. Shiga, H.A. Katori, T. Goto. Phys. Rev. B55, 12 474 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.