Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN

Криволапчук В.В.¹, Лундин В.В.¹, Мездрогина М.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: vlad.krivol@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 26 июля 2004 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основании анализа эволюции времяразрешенных спектров фотолюминесценции впервые удалось экспериментально наблюдать коррелированное влияние встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний на формирование излучения в квантовых ямах на основе нитридов III группы. Показано, что исследование времяразрешенных спектров фотолюминесценции позволяет классифицировать светодиодные структуры для их использования в коммерческих целях. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры".

А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Н.М. Шмидт, Е.Е. Заварин, А.С. Усиков, Н.Н. Зиновьев, М.Н. Ткачук. ФТП 36, 6, 679 (2002)
X.A. Cao, S.F. Leboeuf, L.B. Rowland. Appl. Phys. Lett. 82, 21, 3614 (2003)
F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B 56, 16, R 10 024 (1997)
В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин. ФТП 38, 8, 897 (2004)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ 46, 12, 2129 (2004)
А.В. Акимов, А.А. Каплянский, В.В. Криволапчук, Е.С. Москаленко. Письма с ЖЭТФ 46, 35 (1987)
Y. Narakawa, Y. Kawakami, S. Fujinita, Sh. Fujinita, S. Nakamura. Phys. Rev. B 55, 4, R 1938 (1997)
S. Kalliakos, P. Lefebvre, T. Taliercio. Phys. Rev. B 67, 105 307 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель