Вышедшие номера
Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов
Глинчук М.Д.1, Зауличный В.Я.1, Стефанович В.А.2
1Институт проблем материаловедения, Киев, Украина
2Институт математики и информатики, Университет Ополе, 45-052 Ополе, Польша
Email: zaulychny@ukr.net
Поступила в редакцию: 16 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

В рамках феноменологической теории Гинзбурга-Ландау рассмотрено влияние металлических электродов на свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. Вклад электродов, отличающихся длиной экранирования носителей ls, включен в функционал свободной энергии. Проведены расчеты критической температуры Tcl, критической толщины пленки и критической длины экранирования электрода, приводящих к переходу из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу. Использование прямого вариационного метода для решения уравнения Эйлера-Лагранжа для поляризации P показало возможность расчета свойств пленки на основе минимизации свободной энергии обычного вида, но с коэффициентом при P2, который зависит не только от температуры, но и толщины пленки, поверхностных и корреляционных эффектов, а также от характеристик электродов. Расчеты поляризации, диэлектрической восприимчивости, пироэлектрического коэффициента, а также поля деполяризации показали, что сегнетоэлектрическая фаза пленки может быть разрушена выбором материала электродов с длиной экранирования, превышающей некоторое критическое значение, т. е. имеет место индуцированный электродами фазовый переход из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу. Полученные количественные критерии показали, что выбор типа электродов для тонких сегнетоэлектрических пленок позволяет управлять фазовым состоянием и свойствами этих пленок.
  1. R. Kretchmer, K. Binder. Phys. Rev. B 20, 1065 (1979)
  2. D.R. Tilley. Ferroelectric thin films / Eds. C. Paz de Araujo, J.F. Scott, G.W. Taylor. Gordon and Breach, Amsterdam (1996). P. 11
  3. A.M. Bratkovsky, A.P. Levanyuk. Phys. Rev. Lett. 84, 3177 (2000)
  4. G. Suchaneck, T.H. Sander, R. Kohler, G. Gerlach. Integrated Ferroelectrics 27, 127 (1999)
  5. M.D. Glinchuk, E.A. Eliseev, V.A. Stephanovich. Physica B 322, 356 (2002)
  6. M.D. Glinchuk, E.A. Eliseev, V.A. Stephanovich, R. Farhi. J. Appl. Phys. 93, 1150 (2003)
  7. G.E. Pike, W.L. Warren, D. Dimos, B.A. Tuttle, R. Rames, J. Lee, V.G. Keramidas, J.T. Evans. Appl. Phys. Lett. 66, 484 (1995)
  8. R. Bruchaus, D. Pitzer, R. Primig, M. Schreiter, W. Wersing. Integrated Ferroelectrics 25, 1 (1999)
  9. В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1978)
  10. С. Киттель. Введение в физику твердого тела. Мир, М. (1987)
  11. I.P. Batra, P. Wurfel, B.D. Silverman. Phys. Rev. Lett. 30, 384 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.