Вышедшие номера
Ударная ионизация экситонов в электрическом поле в GaN и квантовых ямах GaN/AlGaN
Нельсон Д.К.1, Якобсон М.А.1, Каган В.Д.1, Жиль Б.2, Гранжан Н.3, Бомон Б.3, Масси Ж.3, Жибар П.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CNRS-GES, Universite de Montpellier II, Montpellier, France
3CNRS-CRHEA, Sophia-Antipolis, Valbonne, France
Поступила в редакцию: 27 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Исследовался эффект ударной ионизации экситонных состояний в эпитаксиальных пленках GaN и в структурах с квантовыми ямами GaN/AlGaN. Исследование проводилось оптическим методом, основанном на наблюдении гашения экситонной фотолюминесценции при приложении электрического поля. Установлено, что в процессе релаксации электронов по энергии и импульсу рассеяние на примесях преобладает над рассеянием на акустических фононах. Оценена средняя длина свободного пробега горячих электронов. В квантовых ямах GaN/AlGaN средняя длина свободного пробега горячих электронов оказалась на порядок величины больше, чем в эпитаксиальных пленках GaN, что обусловлено уменьшением вероятности рассеяния электронов в двумерном случае. Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16952).