Вышедшие номера
Параметры экситонного поглощения в кристалле TlGaS2
Горбань И.С.1, Охрименко О.Б.2
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Показано, что, поскольку форма кривой экситонного поглощения в кристалле TlGaS2 описывается антирезонансным контуром Фано, экспериментально наблюдаемый экситонный пик соответствует модифицированному состоянию, возникающему в результате конфигурационного взаимодействия дискретного состояния (экситона) с квазинепрерывным континуумом состояний зоны проводимости. Рассчитана сила осциллятора для перехода в дискретное ("чистое") экситонное состояние, которая составляет F0=1.22·10-2. Получены правила отбора экситонного перехода для двух предполагаемых групп симметрии D2h и D4h. В результате анализа правил отбора для экситонного перехода, разрешенного в дипольном приближении, сделан вывод о том, что группой симметрии кристалла TlGaS2 следует считать группу D2h.