Издателям
Вышедшие номера
Сверхструктура Ga4InAs5
Вайполин А.А.1, Синицын М.А.1, Яковенко А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследован образец эпитаксиального слоя твердого раствора Ga0.82In0.18As. На основе рентгеновских дифрактометрических измерений в его структуре определена координация атомов мышьяка. Соотношение атомов As в координации 4Ga, 3Ga+In и 2Ga+2In соответствует сверхструктуре, где цепочка атомов In, протянутая по направлению [110], чередуется с четырьмя цепочками Ga. Идеальным для такой сверхструктуры составом является Ga4InAs5. Обнаружены также новые особенности доменной структуры, возникающей вследствие температурного изменения конфигурации тетраэдрических связей.
  • А.А. Вайполин, Д.В. Пуляевский. ФТТ 34, 3, 732 (1992)
  • А.А. Вайполин, ФТТ 35, 3, 789 (1993)
  • А.А. Вайполин, Д. Мелебаев. ФТТ 36, 4, 1106 (1994)
  • А.А. Вайполин, Д. Мелебаев. ФТТ 36, 7, 2107 (1994)
  • А.А. Вайполин. ФТТ 31, 12, 37 (1989)
  • А.М. Минтаиров, Д.М. Мазуренко, М.А. Синицын, Б.С. Явич. ФТП 28, 9, 1550 (1994)
  • A.S. Vlasov, V.G. Melehin, A.M. Mintairov, V.M. Landratov, I.V. Kochnev, M.A. Sinitsyn, B.S. Yavich. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductor. St. Petersburg (23--27 September 1996). P. 981--984
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.