Издателям
Вышедшие номера
Рентгенодифракционное исследование изменения реальной структуры монокристаллов CdTe в результате лазерного облучения
Шульпина И.Л.1, Ратников В.В.1, Матвеев О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Irene.Shulpina@shuvpop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Высокоразрешающими методами рентгеновской топографии и дифрактометрии исследовано изменение реальной структуры монокристаллов CdTe в результате теплового воздействия импульсного лазерного излучения высокой мощности (1.6-1.97 J/cm2). Показано, что в этих условиях в области облучения в тонком поверхностном слое формируется ячеистая дислокационная структура с повышенной плотностью дислокаций и с большими микроразориентациями по сравнению с необлученной частью кристалла. Определены ее характеристики, оценена толщина слоя с измененной структурой. Работа выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18309).
  • R.O. Bell, M. Toulermonde, P. Siffert. J. Appl. Phys. 19, 313 (1979)
  • И.Л. Шульпина, Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев. ФТТ 40, 1, 68 (1998)
  • И.Л. Шульпина, Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев. ФТТ 42, 3, 548 (2000)
  • Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, Ю.Н. Сосновский, В.Ю. Тимашенко, Н.Г. Чеченин. ФТТ 40, 2, 209 (1998)
  • D.K. Bowen, B.K. Tanner. High Resolution X-Ray Diffractometry and Topography. Tayler and Francis, London (1998). P. 252
  • Патент N 143391 от 20.06.86
  • В.В. Ратников, Л.М. Сорокин, В.Н. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, И.А. Герко, В.К. Ергаков, В.Н. Меринов. Письма в ЖТФ 14, 15, 1410 (1988)
  • P. Gay, P.B. Hirsch, A. Kelly. Acta Met. 1, 2, 315 (1953)
  • P.F. Fewster. J. Appl. Cryst. 22, 1, 64 (1989)
  • Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев. Письма в ЖТФ 24, 11, 1 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.