Высокоразрешающими методами рентгеновской топографии и дифрактометрии исследовано изменение реальной структуры монокристаллов CdTe в результате теплового воздействия импульсного лазерного излучения высокой мощности (1.6-1.97 J/cm²). Показано, что в этих условиях в области облучения в тонком поверхностном слое формируется ячеистая дислокационная структура с повышенной плотностью дислокаций и с большими микроразориентациями по сравнению с необлученной частью кристалла. Определены ее характеристики, оценена толщина слоя с измененной структурой. Работа выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18309).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.