Вышедшие номера
Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках
Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ksa@math.ipme.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Исследуются термодинамика и кинетика переключения в сегнетоэлектриках на примере переключения собственных сегнетоэлектриков со 180o доменами. Изучена начальная стадия переключения в области слабой метастабильности. Найдено выражение, описывающее зависимость критического размера домена от величины переключающего поля. Получено уравнение, описывающее эволюцию функции распределения переполяризованных доменов по размерам. Выведены формулы, позволяющие рассчитать число образующих зародышей переполяризации от величины переключающего поля. Работа выполена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 98-03-32791 и 99-03-32768), Российского центра "Интеграция" (проект N A0151), гранта НАТО "Наука за мир" Stp 973252 и гранта "CONACYT" (проект N 32208).
  1. J.F. Scott. Ferroelectrics review 1, 1 (1998)
  2. В.Я. Шур, Е.Л. Румянцев, С.Д. Макаров. ФТТ 37, 6, 1687 (1995)
  3. V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, S.D. Makarov. Ferroelectrics 172, 361 (1995)
  4. В.Я. Шур, Н.Ю. Пономарев, Н.А. Тонкачева. ФТТ 38, 6, 1889 (1996)
  5. L.I. Dontzowa, N.A. Tikhomirova, L.A. Shuvalov. Ferroelectrics 97, 87 (1989)
  6. Y. Ishibashi, Y. Takagi, J. Phys. Soc. Jpn. 31, 506 (1971)
  7. W. Yang, T. Zhu. J. Mech. Phys. Solid 46, 2, 291 (1998)
  8. C.L. Wang, L. Zhang, W.L. Zhong, P.L. Zhang. Phys. Lett. A254, 297 (1999)
  9. J.M. Liu, Z.G. Liu. Materials Lett. 36, 17 (1998)
  10. А.Н. Колмогоров. Изв. АН СССР. Сер. мат. 3, 355 (1937)
  11. M. Avrami. J. Chem. Phys. 7, 1103 (1939); 9, 17 (1941)
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998)
  13. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Prog. Surf. Sci. 56, 1, 1 (1996)
  14. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсионные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): Механизмы образования тонких пленок. Наука, СПб. (1996). 312 с
  15. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 8. Электродинамика сплошных сред. Наука, М. (1982). 624 с
  16. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 302 с
  17. А.З. Покровский, Б.И. Шумило. ЖЭТФ 77, 4(10), 1417 (1979)
  18. Я.Б. Зельдович. ЖЭТФ 12, 4(10), 525 (1942)
  19. В.В. Слезов, С.А. Кукушкин. ФТТ 38, 2, 433 (1996)
  20. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 5. Статистическая физика. Ч. 1. Наука, М. (1995). 606 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.