Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллов PbWO4 от температуры в области 290-550 K
Шевчук В.Н.1, Каюн И.В.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина 
Email: shevchuk@wups.lviv.ua
Поступила в редакцию: 11 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Исследована температурная зависимость диэлектрической постоянной varepsilon кристаллов PbWO4 в области T=290-550 K на частоте 1 kHz. При нагревании и охлаждении образца наблюдается различный ход кривых varepsilon(T). На зависимости varepsilon(T) при нагревании выделяются группы узких максимумов при 290-330 K и 330-400 K. Первая группа пиков доминирует. Высокотемпературная поляризация обусловливает дополнительный размытый пик на кривой varepsilon(T) при 400 K. Линейная зависимость varepsilon(T) наблюдается при 400-470 K, выше 470 K закон изменения varepsilon(T) близок к экспоненциальному. Восстановительная релаксация значений varepsilon в пределах 25-30 при 290 K после высокотемпературного прогрева образца происходит в несколько стадий по экспоненциальному закону. Дипольная поляризация и прыжковый механизм обмена зарядами между сложными дипольными ассоциатами определяют особенности varepsilon(T). Такими дефектами структуры могут служить пары двухзарядных вакансий свинца и кислорода - диполоны. Они же являются основой для более сложных комплексов дефектов с локализованными дырками (электронами) на соответствующих вакансиях.
- M. Nikl. Phys. Stat. Sol. (a) 178, 2, 595 (2000)
- В.Н. Шевчук, И.В. Каюн. ФТТ 45, 10, 1807 (2003)
- V.N. Shevchuk, I.V. Kayun. Functional Mater. 10, 2, 229 (2003)
- В.Н. Шевчук, I.В. Каюн. Вiсн. Львiв. ун-mу. Сер. физ. 35, 60 (2002)
- J.A. Groenink, H. Binsma. J. Sol. Stat. Chem. 29, 2, 227 (1979)
- B. Han, X. Feng, G. Hu, P. Wang, Z. Yin. J. Appl. Phys. 84, 5, 2831 (1998)
- H. Huang, W. Li, X. Feng, P. Wang. Phys. Stat. Sol. (a) 187, 2, 563 (2001)
- W.-S. Li, T.-B. Tang, H.-W. Huang, X.-Q. Feng. Jpn. J. Appl. Phys. 40, 12, P. 1, 6893 (2001)
- H.-W. Huang, Z.-G. Ye, M. Dong, W.-L. Zhu, X.-Q. Feng. Jpn. J. Appl. Phys. 41, 6B, P. 2, L 713 (2002)
- H.-W. Huang, X. Feng, T.-B. Tang, M. Dong, Z.-G. Ye. Phys. Stat. Sol. (a) 196, 2, R 7 (2003)
- W. Li, T.-B. Tang, X. Feng. J. Appl. Phys. 87, 11, 7692 (2000)
- S.K. Arora, T. Mathew. Phys. Stat. Sol. (a) 116, 1, 405 (1989)
- О.В. Иванов, А.П. Находнова, В.Н. Кривобок. ЖНХ 27, 3, 587 (1982)
- А.А. Потапов. Диэлектрический метод исследования вещества. Изд-во Иркут. ун-та, Иркутск (1990). 256 с
- А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук. ФТТ 39, 5, 871 (1997)
- М.В. Мохосоев, Ж.Г. Базарова. Сложные оксиды молибдена и вольфрама с элементами I--IV групп. Наука, М. (1990). 256 с
- Y.R. Reddy, L. Sirdeshmukh. Phys. Stat. Sol. (a) 103, 2, K 157 (1987)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985). 304 с
- А. Лидьярд. Ионная проводимость кристаллов. ИЛ, М. (1963). 222 с
- Е.А. Укше, Н.Г. Букун. Твердые электролиты. Наука, М. (1977). 176 с
- M. Nikl, K. Nitsch, S. Baccaro, A. Cecilia, M. Montecchi, B. Borgia, Dafinei. I., M. Diemoz, M. Martini, E. Rosetta, G. Spinolo, A. Vedda, M. Kobayashi, M. Ishii, Y. Usuki, O. Yarolimek, P. Reiche. J. Appl. Phys. 82, 11, 5758 (1997)
- Q. Zhang, T. Liu, J. Chen, X. Feng. Phys. Rev. B 68, 064 101 (2003)
- V.V. Laguta, M. Martini, A. Vedda, E. Rosetta, M. Nikl, E. Mihokova, J. Rosa, Y. Usuki. Phys. Rev. B 67, 205 102 (2003)
- Y.B. Abraham, A.W. Holzwarth, R.T. Williams, G.E. Matthews, A.R. Tackett. Phys. Rev. B 64, 245 109 (2001)
- A.K. Jonscher. Universal relaxation law. Dielectric relaxation in solids. Chelsea Dielectric Press, London (1996). 415 p
- Т.В. Панченко, Л.М. Карпова, В.М. Дуда. ФТТ 42, 4, 671 (2000)
- П.В. Жуковский, Я. Партыка, П. Венгерэк, Ю. Шостак, Ю. Сидоренко, А. Родзик. ФТП 34, 10, 1174 (2000)
- Л.Е. Сошников, В.М. Трухан, С.Ф. Маренкин. Неорган. материалы 39, 4, 395 (2003)
- A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Rad. Eff. Def. Sol. 134, 1-- 4, 251 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
