Интерполяционная формула для кулоновской щели в слаболегированных и компенсированных полупроводниках
Арутюнян С.Л.1
1Государственный инженерный университет Армении, Гюмрийский образовательный комплекс, Гюмри, Армения
Email: sashar@rambler.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Для функции плотности состояний носителей заряда в примесной зоне слаболегированного полупроводника предлагается зависящая от двух параметров итерполяционная формула, которая справедлива для произвольного значения энергии. Указанные параметры, первый из которых есть уровень Ферми, а второй характеризует ширину пиков функции плотности состояний, определяются из условий нормировки и электронейтральности.
- M.L. Knotek, M. Pollak. Phys. Rev. B 9, 664 (1974)
- T. Kurosava, H. Sugimoto. Prog. Ther. Phys. (Suppl.) 57, 217 (1975)
- A.L. Efros, B.I. Shklovskii. J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 8, L49 (1975)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП 14, 925 (1980)
- Э.В. Девятов, А.А. Шашкин, В.Т. Долгополов, В. Ханзен, М. Холланд. УФН 170, 3, 327 (2000)
- А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, И.П. Взягин, С.В. Егоров. ФТП 31, 10, 1174 (1997)
- А.Г. Забродский. УФН 168, 7, 804 (1998)
- В.М. Барздов, Т.А. Петрович. ФТП 31, 1, 89 (1997)
- S.L. Harotunian, V.A. Harotunian, H.A. Jivanian, G.O. Denirjian. Thin Solid Films 258, 357 (1995)
- Н.А. Покровский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ 42, 3, 432 (2000)
- Д.В. Николаев, В.Н. Архипов, В.Р. Никитенко. ФТП 34, 6, 682 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
