Вышедшие номера
Кинетическая теория процессов ионизации и захвата электрона заряженной примесью в полупроводнике
Каган В.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: victor.kagan@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

В кинетическом уравнении для электронов проводимости учтены неупругие процессы электрон-фононного рассеяния, при которых электрон захватывается или освобождается из кулоновского поля примеси. Оказывается, что при определенной энергии эти процессы становятся очень сильными. В указанной области энергий функции распределения свободных и связанных электронов коррелированы для того, чтобы процессы захвата и ионизации взаимно компенсировались. Существование области сильного рассеяния оказывается определяющим фактором при вычислении экспериментально измеряемых коэффициентов захвата и ионизации, входящих в уравнение баланса для электронной концентрации. Работа поддержана грантом НШ-2242.2003.2.
  1. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. Изд-во ПИЯФ, СПб (1997). 375 с
  2. G.H. Wannier. Phys. Rev. 91, 2, 207 (1953)
  3. Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика. Наука, М. (1979). 525 с
  4. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. ГИФМЛ, М.--Л. (1962). 418 с
  5. M. Lax. Phys. Rev. 119, 3, 1502 (1960)
  6. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Наука, М. (1974). 752 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.