Издателям
Вышедшие номера
Рентгеновское измерение тензора микродисторсии и анализ на его основе дислокационной структуры толстых слоев GaN, полученных методом хлоргидридной газофазной эпитаксии
Ратников В.В.1, Кютт Р.Н.1, Шубина Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

Методами двух- и трехкристальной (ТКД) рентгеновской дифрактометрии изучена дислокационная структура толстых GaN слоев, выращенных хлоргидридной газофазной эпитаксией (ХГЭ) как на сапфире, так и на тонком GaN слое, выращенном методом металлорганического синтеза (МОС). Из измерений дифрагированной интенсивности в геометриях Брэгга и Лауэ получены пять компонент тензора микродисторсии <varepsilonij>, размеры областей когерентного рассеяния вдоль поверхности образцов и по нормали к ней. На их основе проведен анализ типа и геометрии расположения дислокаций и проведен расчет плотности основных типов дислокаций. При росте на тонком слое GaN уменьшается плотность как вертикальных винтовых, так и краевых дислокаций (в 1.5-3 раза). Дифракционные характеристики толстого слоя на МОС-GaN подложке позволяют считать его монокристаллическим с включениями микроскристаллических областей. Работа проводилась при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17103 и 00-02-16760), а также Программы Министерства науки Российской Федерации "Физика наноструктур" (97-2014а).
  • R.J. Molnar, W. Gotz, L.T. Romano, N.M. Johnson. J. Gryst. Growth. 178, 147 (1997)
  • L.T. Romano, B.S. Krusor, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997)
  • H. Siegle, A. Hoffman, L. Eckey, C. Thomsen, J. Christen, F. Bertram, D. Shmidt, D. Rudloff, K. Hiramatsu. Appl. Phys. Lett. 71, 2490 (1998)
  • Y. Golan, X.H. Wu, J.S. Speck, R.P. Vaudo, V.M. Phanse. Appl. Phys. Lett. 73, 3090 (1998)
  • T. Pashkova, S. Tungasmita, E. Valcheva, E.B. Svedberg, B. Arnautov, S. Evtimova, P.A. Persson, A. Henry, R. Beccard, M. Heuken, B. Monemar. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2000), в печати
  • E.M. Goldys, T. Pashkova, I.G. Ivanov, B. Arnaudov, B. Monemar. Appl. Phys. Lett. 73, 3583 (1998)
  • T. Metzger, R. Hopler, E. Born, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Stommer, M. Schuster, H. Gobel, S. Christiansen, M. Albrecht, H.P. Strunk. Phil. Mag. A77, 1013 (1998)
  • R.N. Kyutt, T.S. Argunova. Nuovo Cimento D19, 267 (1997)
  • Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, Г.Н. Мосина, М.П. Щеглов. ФТТ 41, 1, 30 (1999)
  • G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta metall. 1, 22 (1953)
  • V. Srikant, J.S. Speck, D.R. Clarke. J. Appl. Phys. 82, 9, 4286 (1997)
  • M.C. Lee, H.-C. Lin, Y.-C. Pan, C.-K. Shu, J. Ou, W.-H. Chen, W.-K. Chen. Appl. Phys. Lett. 73, 2606 (1998)
  • K. Kobayashi, A. Yamaguchi, S. Kimura, H. Sanakawa, A. Kimura, A. Usui. Jpn. Appl. Phys. 38, L611 (1999)
  • C.O. Dunn, E.F. Koch. Acta metall. 5, 548 (1957)
  • J.E. Ayers. J. Crystal Growth 135, 71 (1994)
  • P.F. Fewster. J. Appl. Crystallogr. 22, 64 (1989)
  • P.F. Fewster. Int. School of Crystallography: 23-=SUP=-rd-=/SUP=- Course, X-ray and Neutron Dynamical Diffraction: Theory and Applications. Erice, Italy (1996). P. 287
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.