Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов

Воронков В.В.¹, Воронкова Г.И.¹, Батунина А.В.¹, Головина В.Н.¹, Мильвидский М.Г.¹, Гуляева А.С.¹, Тюрина Н.Б.¹, Арапкина Л.В.¹

¹Государственный научно-исследовательский институт редких металлов (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия

Email: icpm@mail.girmet.ru

Поступила в редакцию: 10 апреля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Генерация низкотемпературных термодоноров (ТД) в кремнии чувствительна к скорости охлаждения образцов (от температуры отжига до комнатной) и к атмосфере (воздух или вакуум). Этот эффект наиболее четко выражен в случае отжига при 500^oC, заметен при 480^oC, но почти отсутствует при 450^oC. Результаты хорошо объясняются ускорением процесса генерации ТД в присутсвии собственных межузельных атомов кремния (Si). Эти атомы эмиттируются термодонорами и затем поглощаются стоками - поверхностью образца и объемными микродефектами (вакансионными порами). При отжиге в вакууме основным стоком является поверхность. При отжиге на воздухе этот сток "пассивирован" благодаря окислению и/или загрязнению, и главным стоком становятся поры; в результате концентрация атомов Si_I существенно возрастает и скорость генерации увеличивается. Быстрое охлаждение образцов приводит к частичной пассивации пор (вследствие их декодирования быстро диффундирующими примесями) и к дополнительному увеличению скорости генерации. Расчетные кинетические кривые, полученные в рамках данной модели, хорошо описывают эксперимент.

G.D. Watkins. In: Proc. 14 Intern. Conference on Defects in Semiconductors. (1986). P. 953
P. Wagner, J. Hage. Appl. Phys. A49, 2, 123 (1989)
V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol. 8, 2037 (1993)
В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния. Интерпрес, Киев (1977). 240 c
A.R. Bean, R.C. Newman. J. Phys. Chem. Solid. 33, 2, 255 (1972)
J. Leroueille. Phys. Stat. Sol. A67, 1, 177 (1981)
R.C. Newman, A.R. Brown, R. Murray, A. Tipping, J.H. Tucker. In: Semicond. Silicon / Ed. by H.R. Huff, K.G. Barraclough, J. Chikawa. Vol. 90-7. The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1990). P. 734
H.J. Stein, S. Hahn. In: Defect Control in Semiconductors. Part 1 / Ed. by K. Sumino. Elsevier, Amsterdam (1990). P. 241
C.S. Chen, C.F. Li, H.J. Ye, S.C. Shen, D.R. Yang. J. Appl. Phys. 76, 3 347 (1994)
D. Yang, R. Fan, L. Li, D. Que, K. Sumino. J. Appl. Phys. 80, 1493 (1996)
В.В. Воронков. Кристаллография 38, 1, 150 (1993)
V.V. Voronkov, R. Falster. J. Crystal Growth 194, 76 (1993)
R. Falster, M. Pagani, D. Gambaro, M. Cornara, M. Olmo, G. Ferrero, P. Pichler, M. Jacob. Solid State Phenomena 57--58, 129 (1997)
J.A. Griffin, J. Hartung, J. Weber, N. Navarro, L. Genzel. Appl. Phys. A48, 47 (1989)
A. Hara, M. Aoki, M. Koizuka, T. Fukuda. J. Appl. Phys. 75, 2929 (1994)
R. Falster, Z. Laczik, G.R. Booker, A.R. Bhatti, P. Torok. In: Defect Engineering in Semiconductor Growth. Processing and Device Technology / Ed. by S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino, E. Weber. Vol. 262. MRS Proceeding series, Pittsburgh, Pennsilvania (1992). P. 945
Я.И. Френкель. Кинетическая теория жидкостей. Наука, Л. (1975). 592 с
M. Jacob, P. Pichler, H. Ryssel, R. Falster. J. Appl. Phys. 82, 182 (1997)
M. Jacob, P. Pichler, H. Ryssel, R. Falster, M. Cornara, D. Gambaro, M. Olmo, M. Pagani. Solid State Phenom. 57/58, 349 (1997)
V.V. Voronkov, R. Falster. J. Crystal Growth 204, 462 (1999)
M. Jacob, P. Pichler, R. Falster (1997). Неопубликованные данные (частное сообщение)
S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Physics 77, 1427 (1995)
G.D. Watkins. In: Defects in Silicon III / Ed. by T. Abe, W.M. Bullis, S. Kobayashi, W. Lin, P. Wagner. Vol. 99--1. The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1999). P. 38
V.V. Voronkov, R. Falster. J. Appl. Phys. 86, 11, 5975 (1999)
A. Hara, M. Koizuka, M. Aoki, T. Fukuda, H. Yamada-Kaneta, H. Mori. Jpn. J. Appl. Phys. 33, 5577 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель