Вышедшие номера
Изучение взаимодействия лития с танталом, покрытым пленкой кремния, методом электронно-стимулированной десорбции
Агеев В.Н.1, Соловьев С.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

С помощью статического магнитного масс-спектрометра, совмещенного с энергоанализатором с задерживающим электрическим полем, исследована электронно-стимулированная десорбция ионов Li+ из адслоя лития на поверхности тантала, покрытого пленкой кремния. Порог появления ионов Li+ близок к энергии ионизации уровня 1s лития. Вторичные пороги наблюдались около 130 и 150 eV. Порог при 130 eV превышает примерно на 30 eV энергию ионизации уровня 2p кремния и может быть связан с двойной ионизацией. Порог при 150 eV может быть связан с ионизацией уровня 2s кремния. Показано, что выход ионов Li+ не коррелирует с количеством кремния в приповерхностной области танталовой ленты, резко возрастая при высоких температурах отжига. На зависимости тока десорбции ионов Li+ от концентрации лития после отжига ленты при T> 1800 K обнаружены два максимума. Наибольший вклад в ток ионов Li+ после отжига вносят ионы, десорбируемые электронами с энергией выше 130 и 150 eV. Выход ионов Li+ после ионизации уровня 1s Li при энергии 55 eV значительно меньше, но наблюдается до больших концентраций напыленного лития. Полученные результаты могут быть объяснены на основе модели оже-стимулированной десорбции при учете релаксации локального поля поверхности. Эта работа выполнена в рамках Государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (грант N 4.5.99) и была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-17972).
  1. Ш. Мюрарка. Силициды для СБИС. Мир, М. (1986)
  2. V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov. Surface Phases on Silicon. Preperation, Structures and Properties. Wiley. N. Y. (1994)
  3. E. Kampshoff, N. Walchli, K. Kern. Surf. Sci. 406, 103 (1998)
  4. J.H. Weaner, v.L. Moruzzi, F.A. Schmidt. Phys. Rev. B23, 2916 (1981)
  5. В.Н. Агеев, Е.Ю. Афанасьева. ФТТ 39, 8, 1481 (1997)
  6. Д. Бигс, М.Н. Сих. Анализ поверхности методом оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Мир, М. (1987)
  7. В.Н. Агеев, Б.В. Якшинский. ФТТ 37, 2, 483 (1995)
  8. В.Н. Агеев, Б.В. Якшинский. ФТТ 27, 1, 99 (1985)
  9. В.Н. Агеев, Е.Ю. Афанасьева, Н.Р. Галль, С.М. Михайлов, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Поверхность 5, 7 (1987)
  10. В.Н. Агеев, А.М. Магомедов, Б.В. Якшинский. Письма в ЖТФ 15, 6 (1989)
  11. Ю.К. Устинов. ЖТФ 41, 2, 411 (1971)
  12. V.N. Ageev, O.P. Burmistrova, B.V. Yakshinskii. Surf. Sci. 194, 101 (1988)
  13. M.A. Cazalilla, M. Lorente, R. Dier Muino, J.P. Gauyacq, D. Teillet--Billy, P.M. Echenique. Phys. Rev. B58, 20, 13 991 (1998-li)
  14. Е.В. Рутьков. Автореф. докт. дисс. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, СПб (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.