Методами оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии валентной зоны с угловым разрешением и Si(2p) внутреннего уровня, а также дифракции медленных электронов исследованы особенности электронной и кристаллической структуры систем, сформированных в процессе напыления слоев кремния на поверхность монокристаллических пленок Gd (0001) и Dy (0001) с последующим термическим отжигом при температуре T=450-500^oC. В результате исследований было показано, что сформированные системы могут быть описаны как исходные монокристаллические пленки Gd и Dy с трехмерными островками силицидов этих металлов, расположенными на поверхности соответствующих металлических пленок. Данная работа выполнена при финансовой поддержке ГНТП "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.99) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 96-03-34107).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.