Вышедшие номера
Влияние легирования ванадием на электрические свойства кристаллов Bi12GeO20
Кудзин А.Ю.1, Пляка С.Н.1, Соколянский Г.Х.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 19 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследованы температурные зависимости электропроводности на постоянном и переменном токе, а также вольт-амперные характеристики чистых и легированных ионами ванадия кристаллов германосилленита. Установлено, что в Bi12GeO20 носителями заряда являются электроны и дырки. При введении ванадия наблюдается сильная зависимость проводимости и ее энергии активации от концентрации легирующей примеси. Полученные результаты находят объяснение в рамках модели прыжкового механизма переноса заряда в легированных сильно компенсированных полупроводниках.
  1. A.A. Ballman. J. Crystal. Growth. 1, 3, 37 (1967)
  2. R.E. Aldrich, S.L. Hou, M.L. Harvill. J. Appl. Phys. 42, 1, 493 (1971)
  3. В.П. Авраменко, Л.П. Клименко, А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский. ФТТ 19, 4, 1201 (1977)
  4. В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский. ФТТ 22, 10, 3149 (1980)
  5. В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский. В сб.: Физика активных диэлектриков. ДГУ, Днепропетровск (1980). 131 с
  6. В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Т.В. Панченко, Г.Х. Соколянский. В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. РГУ, Ростов (1984). 139 с
  7. О.А. Гудаев. Автометрия 1, 106 (1980)
  8. B.G. Grebmeier, R. Oberschmid. Phys. Stat. Sol. (a) 96, 199 (1986)
  9. С.Н. Пляка, Г.Х. Соколянский. ФТТ 40, 11, 2054 (1998)
  10. Г.И. Сканави. Физика диэлектриков (область слабых полей). Изд-во физ.-мат. лит-ры, М. (1949). 500 с
  11. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. Киев (1981). 256 с
  12. А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский, А.С. Юдин. ФТТ 30, 6, 1864 (1988)
  13. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП 14, 5, 825 (1980)
  14. Б.И. Шкловский. ФТП 6, 7 1197 (1972)
  15. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства полупроводников. Наука, М. (1975). 416 с
  16. П. Ле-Комбер, У. Спир. В сб.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродского. Мир, М. (1982). 311 с
  17. Й. Тавада. В сб.: Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Металлургия, М. (1986)
  18. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 62, 3, 1156 (1972)
  19. К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах. Мир, М. (1984). 219 с
  20. В.В. Брыксин, Г.Ю. Яшин. ФТТ 23, 10, 3063 (1981)
  21. В.Л. Бонч-Бруевич. В сб.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках --- Труды VI Mеждународной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. Л. (1976). С. 16
  22. В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Л.П. Клименко, Г.Х. Соколянский. В сб.: Активные диэлектрики. Днепропетровск (1984). С. 71
  23. В.В. Волков, Ю.Ф. Хомич, П.И. Перов, М.В. Скориков. Изв. АН СССР, Неорган. материалы 25, 5, 827 (1989)
  24. А.В. Егорышева, В.В. Волков, М.В. Скориков. Неорган. материалы 31, 3, 377 (1995)
  25. R. Oberschmid. Phys. Stat. Sol. (a) 89, 263 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.