Вышедшие номера
Туннелирование электронов через тонкий барьер с плавным потенциалом на гетерограницах GaAs/AlAs(001)
Гриняев С.Н.1, Караваев Г.Ф.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Email: kanc@spti.tsu.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния, факторизованными по неприводимым представлениям группы симметрии гетероструктуры, исследовано влияние реального микроскопического потенциала на характеристики резонансного туннелирования электронов из Gamma-долины GaAs через барьер AlAs толщиной в одну постоянную решетки. Переходные области между потенциалами компонент и барьерная область рассматриваются как составные части периода сверхрешетки Ga2Al2As4, чтобы обеспечить непрерывность кристаллического потенциала на границах сшивания волновых функций. Показано, что по сравнению с результатами модели с резкой границей при учете реального потенциала меняется число и положение Фано-резонансов, усиливается локализация электронной плотности в барьере резко увеличивается время туннелирования. Работа выполнена при поддержке программы Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.12.99).
  1. D.F. Nelson, R.C. Miller, C.W. Tu, S.K. Sputz. Phys. Rev. B36, 15, 8063 (1987)
  2. K. Fujiwara, K. Kawashima, T. Imanashi. Phys. Rev. B54, 24, 17 724 (1996)
  3. B.A. Foreman. Phys. Rev. Lett. 80, 17, 3823 (1998)
  4. Г.Ф. Караваев, И.Н. Криворотов. ФТП 30, 1, 177 (1996)
  5. D.Y. Ko, J.C. Inkson. Phys. Rev. B38, 14, 9945 (1988)
  6. D.Y. Ko, J.C. Inkson. Semicond. Sci. Technol 3, 791 (1988)
  7. T. Ando, S. Wakahana, H. Akera. Phys. Rev. B40, 17, 11 609 (1989)
  8. T. Ando, H. Akera. Phys. Rev. B40, 17, 11 619 (1989)
  9. J.P. Cuypers, W. van Haeringen. Physica B168, 58 (1991)
  10. J.P. Cuypers, W. van Haeringen. J. Phys. Condens. Matt. 4, 10, 2587 (1992); J.P. Cuypers. Scattering of electrons at heterostructure interfaces. Ph. D. Thesis. The Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlands (1992). 129 p
  11. T. Osotchan, V.W.L. Chin, T.L.O. Tansley. Phys. Rev. B54, 3, 2059 (1996)
  12. Г.Ф. Караваев, С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. Изв. вузов. Физика 35, 9, 64 (1992)
  13. С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. ФТП 26, 12, 2057 (1992)
  14. С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов. ФТП 28, 8, 1393 (1994)
  15. C.G. van de Walle, R.M. Martin. Phys. Rev. B35, 15, 8154 (1987)
  16. D.M. Bylander, L. Kleinman. Phys. Rev. B36, 6, 3229 (1987)
  17. О.В. Ковалев. Неприводимые и индуцированные представления и копредставления федоровских групп. Наука, М. (1986). 368 с
  18. K.A. Mader, A. Zunger. Phys. Rev. B50, 23, 17 393 (1994)
  19. E. Tekman, P.F. Bagwell. Phys. Rev. B48, 4, 2553 (1993)
  20. Т. Мосс. Оптические свойства полупроводников. Изд-во иностр. лит., М. (1961). 304 с
  21. В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Наук. думка, Киев (1988). 424 с
  22. Х.М. Нуссенцвейг. Причинность и дисперсионные соотношения. Мир, М. (1976). 461 с
  23. E.L. Ivchenko, A.A. Kiselev, Y. Fu, M. Willander. Phys. Rev. B50, 11, 7747 (1994)
  24. W. Porod, Z.-an Shao, C.S. Lent. Phys. Rev. B48, 11, 8495 (1993)
  25. U. Fano. Phys. Rev. 124, 6, 1866 (1961)
  26. Т.Ю. Ву. Т. Омура. Квантовая теория рассеяния. Наука, М. (1969). 452 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.