Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннелирование электронов через тонкий барьер с плавным потенциалом на гетерограницах GaAs/AlAs(001)
Гриняев С.Н.1, Караваев Г.Ф.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
Email: kanc@spti.tsu.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния, факторизованными по неприводимым представлениям группы симметрии гетероструктуры, исследовано влияние реального микроскопического потенциала на характеристики резонансного туннелирования электронов из Gamma-долины GaAs через барьер AlAs толщиной в одну постоянную решетки. Переходные области между потенциалами компонент и барьерная область рассматриваются как составные части периода сверхрешетки Ga2Al2As4, чтобы обеспечить непрерывность кристаллического потенциала на границах сшивания волновых функций. Показано, что по сравнению с результатами модели с резкой границей при учете реального потенциала меняется число и положение Фано-резонансов, усиливается локализация электронной плотности в барьере резко увеличивается время туннелирования. Работа выполнена при поддержке программы Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.12.99).
- D.F. Nelson, R.C. Miller, C.W. Tu, S.K. Sputz. Phys. Rev. B36, 15, 8063 (1987)
- K. Fujiwara, K. Kawashima, T. Imanashi. Phys. Rev. B54, 24, 17 724 (1996)
- B.A. Foreman. Phys. Rev. Lett. 80, 17, 3823 (1998)
- Г.Ф. Караваев, И.Н. Криворотов. ФТП 30, 1, 177 (1996)
- D.Y. Ko, J.C. Inkson. Phys. Rev. B38, 14, 9945 (1988)
- D.Y. Ko, J.C. Inkson. Semicond. Sci. Technol 3, 791 (1988)
- T. Ando, S. Wakahana, H. Akera. Phys. Rev. B40, 17, 11 609 (1989)
- T. Ando, H. Akera. Phys. Rev. B40, 17, 11 619 (1989)
- J.P. Cuypers, W. van Haeringen. Physica B168, 58 (1991)
- J.P. Cuypers, W. van Haeringen. J. Phys. Condens. Matt. 4, 10, 2587 (1992); J.P. Cuypers. Scattering of electrons at heterostructure interfaces. Ph. D. Thesis. The Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlands (1992). 129 p
- T. Osotchan, V.W.L. Chin, T.L.O. Tansley. Phys. Rev. B54, 3, 2059 (1996)
- Г.Ф. Караваев, С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. Изв. вузов. Физика 35, 9, 64 (1992)
- С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. ФТП 26, 12, 2057 (1992)
- С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов. ФТП 28, 8, 1393 (1994)
- C.G. van de Walle, R.M. Martin. Phys. Rev. B35, 15, 8154 (1987)
- D.M. Bylander, L. Kleinman. Phys. Rev. B36, 6, 3229 (1987)
- О.В. Ковалев. Неприводимые и индуцированные представления и копредставления федоровских групп. Наука, М. (1986). 368 с
- K.A. Mader, A. Zunger. Phys. Rev. B50, 23, 17 393 (1994)
- E. Tekman, P.F. Bagwell. Phys. Rev. B48, 4, 2553 (1993)
- Т. Мосс. Оптические свойства полупроводников. Изд-во иностр. лит., М. (1961). 304 с
- В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Наук. думка, Киев (1988). 424 с
- Х.М. Нуссенцвейг. Причинность и дисперсионные соотношения. Мир, М. (1976). 461 с
- E.L. Ivchenko, A.A. Kiselev, Y. Fu, M. Willander. Phys. Rev. B50, 11, 7747 (1994)
- W. Porod, Z.-an Shao, C.S. Lent. Phys. Rev. B48, 11, 8495 (1993)
- U. Fano. Phys. Rev. 124, 6, 1866 (1961)
- Т.Ю. Ву. Т. Омура. Квантовая теория рассеяния. Наука, М. (1969). 452 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
