Вышедшие номера
Колебательная спектроскопия эпитаксиальных слоев Ga1-xAlxP, выращенных на подложке (111)GaP методом ЖФЭ
Водопьянов Л.К.1, Козырев С.П.1, Мельник Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: vodopian@sci.Lebedev.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Представлены результаты измерений спектров решеточного ИК-отражения и комбинационного рассеяния света для пленок сплава Ga1-xAlxP (x=0-0.8), выращенных на подложке (111)GaP методом жидкофазной эпитаксии. Из дисперсионного анализа экспериментальных спектров установлено, что для изучаемой системы сплава Ga1-xAlxP в колебательных спектрах сплава с различным составом проявляются три моды Ga-P-колебаний и одна мода Al-P-колебаний. Частоты мод слабо меняются с составом x сплава Ga1-xAlxP, с составом изменяются силы осцилляторов этих мод. Настоящая работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 97-02-16791) и ГНТП "Физика квантовых и волновых процессов", направление "Фундаментальная спектроскопия" (проект N 0.8.02.73).