Влияние полей случайно расположенных заряженных центров на поляризацию люминесценции
Осипов Е.Б.1, Борисов В.Б.1, Сорокина Н.О.1, Осипова Н.А.1
1Череповецкий государственный университет, Череповец, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Рассматривается влияние случайно расположенных заряженных центров в кристалле на поляризацию люминесценции, связанную с ян-теллеровскими центрами в условиях однородной деформации.
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 с
- Н.С. Аверкиев, З.А. Адамия, Д.И. Аладашвили, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП 21, 3, 421 (1987)
- Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов, А.Ф. Цацульников. ФТП 25, 11, 1967 (1991)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Наука, М. (1989). 767 с
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, С.Ю. Ильинский. ФТТ 40, 12, 2161 (1998)
- A. Miller, E. Abrahams. Phys. Rev. 120, 745 (1960)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
