Вышедшие номера
Решеточная модель прыжковой проводимости по ближайшим соседям: применение к нейтронно-легированному Ge : Ga
Поклонский Н.А.1, Лопатин С.Ю.1, Забродский А.Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

С целью описания прыжкового транспорта по ближайшим соседям развита модель, согласно которой в кристаллической матрице основная и компенсирующая примеси образуют единую простую кубическую решетку. Прыжки происходят при термически активируемом "выравнивании" уровней основных примесей, в то время как компенсирующие примеси блокируют соответствующие узлы. Рассматриваются достаточно высокие температуры, когда взаимодействиями, приводящими к кулоновской щели, можно пренебречь и плотность состояний в зоне основных примесей предполагать гауссовой. Найдены концентрационные зависимости энергии активации прыжковой проводимости varepsilon3, которая имеет вид кривой с максимумом, а также ее предэкспоненциального множителя sigma3. Результаты сравниваются с полученными разными авторами экспериментальными данными для нейтронно-легированного Ge : Ga. Работа была частично поддержана грантами БФФИ N 97-246 и РФФИ N 98-02-17353.