Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2000, выпуск 3 » Статья стр. 432
<<<>>>
Решеточная модель прыжковой проводимости по ближайшим соседям: применение к нейтронно-легированному Ge : Ga
Поклонский Н.А.1, Лопатин С.Ю.1, Забродский А.Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
PDF версия
С целью описания прыжкового транспорта по ближайшим соседям развита модель, согласно которой в кристаллической матрице основная и компенсирующая примеси образуют единую простую кубическую решетку. Прыжки происходят при термически активируемом "выравнивании" уровней основных примесей, в то время как компенсирующие примеси блокируют соответствующие узлы. Рассматриваются достаточно высокие температуры, когда взаимодействиями, приводящими к кулоновской щели, можно пренебречь и плотность состояний в зоне основных примесей предполагать гауссовой. Найдены концентрационные зависимости энергии активации прыжковой проводимости varepsilon3, которая имеет вид кривой с максимумом, а также ее предэкспоненциального множителя sigma3. Результаты сравниваются с полученными разными авторами экспериментальными данными для нейтронно-легированного Ge : Ga. Работа была частично поддержана грантами БФФИ N 97-246 и РФФИ N 98-02-17353.
  1. A. Miller, E. Abrahams. Phys. Rev. 120, 3, 745 (1960)
  2. И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. МГУ, М. (1984) с. 192
  3. Hopping Transport in Solids / Ed. by M. Pollak, B. Shklovskii. Elsevier, Amsterdam (1990)
  4. H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev. 119, 4, 1238 (1960)
  5. А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП 26, 3, 431 (1992)
  6. A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev. Int. J. Modern Phys. B8, 7, 883 (1994)
  7. А.И. Горшков. ЖТФ 46, 8, 1718 (1976)
  8. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N.Y.--Tokyo (1984)
  9. Н.В. Лиен, Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП 13, 11, 2192 (1979)
  10. E.M. Conwell. Phys. Rev. 103, 1, 51 (1956)
  11. P. Csavinszky. Phys. Rev. 119, 5, 1605 (1960)
  12. Б.З. Спивак, В.А. Харченко, Б.И. Шкловский. ФТП 19, 5, 799 (1985)
  13. Дж.П. Старк. Диффузия в твердых телах. Энергия, М. (1980). С. 31. [Пер. с англ.: J.P. Stark. Solid State Diffusion. John Wiley\&Sons Inc., N.Y.--London--Sydney--Toronto (1976)]
  14. N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh. Phys. Stat. Sol. (b) 117, 93 (1983)
  15. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП 33, 4, 415 (1999)
  16. Н.Л. Лаврик, В.П. Волошин. ЖФХ 70, 6, 1140 (1996)
  17. S.D. Baranovskii, T. Faber, F. Hensel, P. Thomas. Phys. Stat. Sol. (b) 205, 87 (1998)
  18. N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Stat. Sol. (b) 88, K165 (1978)
  19. А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 81, 5(11), 1940 (1981)
  20. A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. Stat. Sol. (b) 205, 61 (1998)
  21. П. Нагельс. Электронные процессы переноса в аморфных полупроводниках. В кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. Мир, М. (1982). С. 146. [Пер с англ.: P. Nagels. In: Topic in Applied Physics. Vol. 36. Amorphous Semiconductors. / Ed. by M.H. Brodsky. Springer--Verlag Berlin--Heidelberg--N.Y. (1979)]
  22. Д. Кокс, У. Смит. Теория очередей. Мир, М. (1966). С. 51. [Пер. с англ.: D.R. Cox, W.L. Smith. Queues. London--N.Y. (1961)]
  23. П. Уиттл. Вероятность. Наука, М. (1982). [Пер. с англ.: P. Whittle. Probability. Penguin Books, Cambridge (1970)]
  24. А.С. Давыдов. Квантовая механика. Наука, М. (1973). С. 626
  25. Е.О. Кейн. Основные представления о туннелировании. В кн.: Туннельные явления в твердых телах / Под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквиста. Мир, М. (1973). С. 9. [Пер. с англ.: E.O. Kane. In: Tunneling Phenomena in Solids / Ed. by Burstein, S. Lundquist. Plenum, N.Y. (1969)]
  26. R. Landauer, Th. Martin. Rev. Mod. Phys. 66, 1, 217 (1994)
  27. А.Г. Забродский. УФН 168, 7, 804 (1998)
  28. D. Adler. Electronic Correlations, Polarons, and Hopping Transport. In: Handbook on Semiconductors. Vol. 1 / Ed. by T.S. Moss. Publ. Comp., Amsterdam, North-Holland. (1982). P. 805
  29. А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП 28, 1, 168 (1994)
  30. J.A. Chroboczek, H. Fritzsche, C.-L. Jiang, M. Pollak, R.L. Wild. Phil. Mag. B44, 6, 685 (1981)
  31. А.Р. Гаджиев, И.С. Шлимак. ФТП 6, 8, 1582 (1972)
  32. А.Г. Андреев, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.Г. Забродский, Е.А. Петрова. ФТП 29, 12, 2218 (1995)
  33. T.G. Castner, N.K. Lee, H.S. Tan, L. Moberly, O. Sumko. J. low Temp. Phys. 38, 3--4, 447 (1980)
  34. Т.М. Лифшиц. ПТЭ 1, 10 (1993)
  35. H. Fritzsche, M. Cuevas. Proc. Int. Conf. Semicond. Phys., Pub. Czech. Acad. Sci., Prague (1961). P. 222
  36. H.C. Thomas, B. Covington. J. Appl. Phys. 48, 8, 3434 (1977)
  37. H. Kahlert, G. Landwehr, A. Schlachetzki, H. Salow. Z. Phys. B24, 4, 361 (1976)
  38. D. Lemoine, C. Pelletier, S. Rolland, R. Granger. Phys. Lett. 56A, 6, 493 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme