Изучалось взаимодействие Si с Ta методами оже-спектроскопии и температурно-программируемой десорбции (ТПД). Показано, что при монослойном покрытии адатомы Si начинают проникать в объем подложки при T>=q 1400 K. Форма спектра и кривые отжига могут быть объяснены влиянием латерального отталкивания Si-Si в адслое не только на десорбцию, но и на уход Si в объем. Из анализа экспериментальных данных были определены некоторые соотношения между кинетическими параметрами. Их использование в численном расчете на основе ранее предложенной модели позволило определить (путем сравнения расчета с опытом) кинетические параметры всех процессов взаимодействия Si с подложкой из Ta при ТПД (десорбция, уход в объем, диффузии и выхода Si на поверхность). Показано, что удовлетворительное описание эксперимента получается только в предположении, что диффузия в конце ТПД после достижения максимума происходит лишь в пределах тонкого слоя вблизи поверхности, поэтому атомы Si быстрее выходят на поверхность и десорбируются, чем диффундируют в объем. Это означает, что слой вблизи поверхности при высоких температурах во время ТПД имеет нарушенную структуру по сравнению с начальной структурой Ta. Работа выполнена в рамках программы "Атомные поверхностные структуры" (проект N 4.5.99).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.