Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перераспределение электронной плотности в Bi₂Te₃, легированном Sn

Гасенкова И.В.¹, Житинская М.К.², Немов С.А.², Свечникова Т.Е.³

¹Институт электроники Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
³Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 22 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Перераспределение плотности электронных состояний в валентной зоне, энергии связи и химические сдвиги остовных уровней теллура и висмута, обусловленные введением примесных атомов олова в Bi₂Te₃, исследованы методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Обнаружено значительное увеличение плотности электронных состояний ниже вершины валентной зоны в области энергий mu~ 15-30 meV. Найденная особенность в энергетическом спектре определяет необычное поведение кинетических коэффициентов в кристаллах p-Bi₂Te₃ : Sn.

Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова, Ю.И. Равич. ФТТ 38 2998 (1996)
V.A. Kulbachinskii, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, K. Takase, Y. Giman, J. Horak, P. Lostak. Phys. Rev. B50 16 921 (1994)
M.K. Zhitinskaya, S.A. Nemov, T.G. Abaidulina, T.E. Svechnikova. Proc. of the XIV Int. Conf. on Thermoelectrics (ICT 95). St. Petersburg, Russia (1995). P. 56
М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ 40, 8, 1428 (1998)
Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская, Н.В. Поликарпова. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 23, 7, 1128 (1987)
Е.В. Олешко, В.Н. Королышин. ФТТ 27, 9, 2856 (1985)
Thomas P. Debies, I. Wayne Rabalais. Chemical Physics 20 277 (1977)
M.R. Thuler, R.L. Benbow, Z. Hurych. Chemical Physics 71 265 (1982)
Е.Л. Косарев. Радиотехника и электроника 35, 1, 68 (1990)
С.Н. Чижевская, Л.Е. Шелимова, В.С. Земсков, В.И. Косяков, Д.В. Малахов. Неорган. материалы 30, 1, 3 (1994)
Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бригса, М.П. Сика. Мир, М. (1987). С. 598
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). С. 420
A.W.C. Lin, N.R. Armstrong, T. Kuwana. Anal. Chem. 49, 1228 (1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель