В рамках кластерного приближения с использованием полуэмпирической схемы MNDO-PM3 исследованы строение и свойства дефектных структур, возникающих в стеклообразных SiO₂ и GeO₂ при взаимодействии найденных ранее наиболее вероятных дефектов (двучленных циклов, фрагментов с двойными связями O=A<(A=Si, Ge) и незамкнутых цепочек) с валентно-насыщенными участками поверхности разлома. При взаимодействии с такой поверхностью незамкнутых цепочек формируются дефекты с высоким значением дипольного момента (до 15-20D), что может создавать в стекле анизотропные высокополярные области. Связи вокруг гипервалентных центров ослаблены, причем характеристики вновь образованных и уже существовавших связей становятся близкими, т. е. в такой группировке возможны другие варианты распада, меняющие направление разлома. У структур, сформированных взаимодействием с поверхностью дефектов O=A< и двучленных циклов, гипервалентные связи легко разрушаются, т. е. гипервалентная конфигурация трансформируется в обычную; при этом в ряде случаев на потенциальной поверхности имеется два или три близких по энергии минимума, разделенных невысокими или умеренными потенциальными барьерами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.