Издателям
Вышедшие номера
Химические эффекты при формировании электронной структуры поверхности полупроводников A3B5, сульфидированной в растворах
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1, Zahn D.R.T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Physik, TU-Chemnitz, Chemnitz, Germany
Email: mleb@triat.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Изучались электронные свойства поверхности (100) образцов n-GaAs, p-GaAs и n-InP, сульфидированных в различных сульфидных растворах. Показано, что сульфидирование приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции, уменьшению глубины приповерхностной обедненной области полупроводника и к сдвигу поверхностного уровня Ферми в направлении зоны проводимости. Эти эффекты тем более сильные, чем выше химическая активность серы в растворе.
  • C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, T.C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987)
  • J.-F. Fan, Y. Kurata, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2255 (1989)
  • H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi. Surf. Sci. 242, 335 (1991)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys. 82, 2640 (1997)
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B27, 985 (1983)
  • R. Maeckel, H. Baumgaertner, J. Ren. Rev. Sci. Instrum. 64, 694 (1993)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci. Engineer. B44, 376 (1997)
  • Е.А. Мелвин-Хьюз. Равновесие и кинетика реакций в растворах. Химия, М. (1975). 472 с
  • D. Paget, A.O. Gusev, V.L. Berkovits. Phys. Rev. B 53, 4615 (1996)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, N.M. Binh, M. Friedrich, D.R.T. Zahn. Sem. Sci. Technol. 13, 611 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.