Вышедшие номера
Особенности температурных зависимостей фотолюминесценции квантовых островков и ультратонких квантовых ям CdTe/ZnTe
Зайцев В.В.1, Багаев В.С.1, Онищенко Е.Е.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: zaitsev@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

На большом числе структур CdTe/ZnTe с различной средней толщиной < Lz>=0.25-4 монослоев (МС) и геометрией слоя CdTe (сплошной, островковый) приведено исследование температурных зависимостей спектров люминесценции. Обсуждается влияние геометрических особенностей структуры ультратонкого слоя на ширину линий, степень латеральной локализации экситонов, их энергию связи и экситон-фонoнное взаимодействие. Показано, что в островковых структурах латеральная миграция экситонов практически отсутствует. В субмонослойной структуре определена константа экситон-фононного взаимодействия Gammaph=53 meV и показано, что в структурах с большими средними тощинами константа Gammaph значительно меньше. Установлено, что в квантовой яме с < Lz>=4 MC наблюдается заметная латеральная миграция экситонов, причем существенную роль в процессах переноса играет взаимодействие с акустическими фононами. Обнаружено, что глубина экситонного уровня в квантовой яме и структурные особенности ультратонкого слоя оказывают существенное влияние на температурные зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции.