Вышедшие номера
Интердиффузия галлия и алюминия, индуцированная введением эрбия в квантовые структуры GaAs / AlGaAs
Гусев О.Б.1, Бер Б.Я.1, Бреслер М.С.1, Захарченя Б.П.1, Яссиевич И.Н.1, Хитрова Г.2, Гиббс Х.М.2, Принеас Д.П.2, Линдмарк Э.К.2, Мастеров В.Ф.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центр оптических исследований, Университет штата Аризона, Тусон AZ, США
3Технический государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mikhail.bresler@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Экспериментально показано, что введение эрбия в структуры с квантовыми ямами GaAs / AlGaAs в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии приводит к эффективной интердиффузии Ga и Al и диффузии Er вследствие усиленного образования вакансий, вызванного введением эрбия. Предложен механизм образования катионных вакансий, основанный на возникновении локальной деформации при введении эрбия. Показано, что эрбий взаимодействует с алюминием, и это взаимодействие вызывает образование в AlGaAs кластеров, содержащих эрбий и обогащенных алюминием.
  1. Rare Earth Doped Semicond. I / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993)
  2. Rare Earth Doped Semicond. II / Ed. S. Coffa, A. Polman, R.N. Schwartz. Materials Research Society, Pittsburgh (1996)
  3. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. 4-е изд., пер. Наука, М. (1978) Табл. 3.1
  4. J.E. Colon, D.W. Elsaesser, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, G.S. Pomrenke. In: Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993). P. 251
  5. T. Zhang, J. Sun, N.V. Edwards, D.E. Moxey, R.M. Kolbas, P.J. Caldwell. In: Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993). P. 257
  6. W.D. Laidig, N. Holonyak, M.D. Camras, K. Hess, J.J. Coleman, P.D. Dapkus, J. Bardeen. Appl. Phys. Lett. 38, 776 (1981)
  7. D.G. Deppe, N. Holonyak. J. Appl. Phys. 64, R93 (1988)
  8. Я.И. Френкель. Собрание избранных трудов. Т. III. Кинетическая теория жидкостей. Изд. АН СССР (1959). С. 18
  9. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972)
  10. E. Alves, M.F. Da Silva, A.A. Melo, J.C. Soares, G.N. van den Hoven, A. Polman, K.R. Evans, C.R. Jones. In: Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993). P. 175
  11. W.E. Wallace. Rare Earth Intermetallics. Academic Press, N. Y. (1973). P. 34, P. 58

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.