Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эрбий в кристаллах карбида кремния: электронный парамагнитный резонанс и высокотемпературная люминесценция

Баранов П.Г.¹, Ильин И.В.¹, Мохов Е.Н.¹, Певцов А.Б.¹, Храмцов В.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: baranov@tesla.ioffe.rssi.ru

Поступила в редакцию: 18 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые в объемный кристалл 6H-SiC в процессе роста введены ионы эрбия, однозначно идентифицированные по сверхтонкой структуре изотопа ¹⁶⁷Er в спектрах электронного парамагнитного резонанса. Обнаружена высокотемпературная люминесценция ионов эрбия на длине волны 1.54 mum. Особенность наблюдаемой люминесценции - возрастание ее интенсивности при повышении температуры. Наличие люминесценции Er в 6H-SiC открывает широкие перспективы для создания полупроводниковых источников света на длине волны, совпадающей с окном прозрачности волоконной оптики.

V.F. Masterov. Semiconductors 27, 791 (1993) [ФТП 27, 1435 (1993)], and references therein
J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, and L.C. Kimerling. J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991)
A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1 (1997)
W. Jantsch, H. Przybylinska. 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, July 21--26, 1996, ed. M. Schefler and R. Zimmermann. World Scientific, Singapore--New Jersey--London--Hong-Kong, p. 3025
W.J. Choyke, R.P. Devaty, L.L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensl, Ch. Haessler. Appl. Phys. Lett. 65, 1668--1670 (1994)
J.D. Carey, J.F. Donegan, and R.C. Barklie, F. Priolo, G. Franzo, and S. Coffa. Appl. Phys. Lett. 69, 3854 (1996)
P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Sol. St. Comm. 103, 291 (1997)
Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. und Techn. 5, 729 (1979)
M. Kunzer, H.D. Mueller, U. Kaufmann. Phys. Rev. B 48, 10 846 (1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель