Вышедшие номера
Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir
Афанасьев В.П.1, Афанасьев П.В.1, Грехов И.В.2, Делимова Л.А.2, Ким С.-П.3, Коо Ю.-М.3, Машовец Д.В.2, Панкрашкин А.В.1, Парк Я.3, Петров А.А.1, Шин С.3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт передовых технологий Самсунга, Суон 440-600, Корея
Email: VPAfanasiev@eltech.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Изучение профилей распределения элементов по толщине тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур методом электронной Оже-спектроскопии позволило установить связь между элементным и фазовым составом структур и их электрофизическими свойствами. Выявлены особенности поведения подслоя титаната свинца сразу после изготовления и после старения структур. Показано, что в процессе старения изменение характеристик конденсаторных структур связано с диффузией элементов на интерфейсах и в пленке PZT на фоне значительного увеличения концентрации кислорода, в результате чего формируются оксидные слои, модифицирующие границы раздела, уменьшается плотность ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах для всех образцов. Работа выполнена при финансовой поддержке Института передовых технологий Самсунга и Федерального агенства по образованию РФ в рамках программы "Развитие научного потенциала высшей школы" 2005 года (проект N 75122). PACS: 85.50.-n, 82.80.Pv
  1. J.F. Scott, C.A. Paz de Araujo. Science 246, 1400 (1989)
  2. J.F. Scott. Ferroelectrics Rev. 1, 1, 1 (1998)
  3. J.K. Lee, J.-M. Ku, C.-R. Cho, Y.K. Lee, S. Shin, Y. Park. J. Semicond. Technol. Sci. 2, 3, 205 (2002)
  4. V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Ju. Kaptelov, J. Graul. J. Phys.: Cond. Matter 13, 39, 8755 (2001)
  5. А.Н. Павлов, И.П. Раевский, В.П. Сахненко. ФТТ 45, 10, 1875 (2003)
  6. A.K. Tagantsev, I.A. Stolichov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)
  7. K.-W. Lee, W.-J. Lee. Jpn. H. Appl. Phys. 41, Pt 1, 11B, 6718 (2002)
  8. L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets, S. Tyaginov, S. Shin, J.-M. Koo, S.-P. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett. 87, 192 101 (2005); Л. Делимова, И. Грехов, Д. Машовец, С. Шин, Ю.-М. Коо, С.-П. Ким, Я. Парк. ФТТ 48, 6, 0000 (2006)
  9. В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 6, 160 (1996)
  10. J.-G. Yoon, B.S. Kang, J.D. Kim, T.W. Noh, T.K. Song, Y.K. Lee, J.K. Lee. Integrated Ferroelectrics 53, 401 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.