Вышедшие номера
Управление величинами температурного гистерезиса и размытия диэлектрической аномалии в области сегнето-антисегнетоэлектрического фазового перехода в керамике PbZr1-xTixO3 (0.03=< x=<0.05)
Захаров Ю.Н.1, Раевская С.И.1, Бородин В.З.1, Кузнецов В.Г.1, Раевский И.П.1
1Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете, Ростов-на-Дону, Россия
Email: zakharov@ip.rsu.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Установлена возможность обратимо изменять величины температурного гистерезиса и размытия диэлектрической аномалии, соответствующей переходу между антисегнетоэлектрической (АСЭ) и сегнетоэлектрической (СЭ) фазами в керамике PbZr1-xTixO3 (0.03=< x=<0.05) варьированием температур нагрева и охлаждения в ходе термоциклирования. Полученные результаты свидетельствуют о том, что АСЭ-СЭ переход в PbZr1-xTixO3 является размытым фазовым переходом первого рода. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Министерства образования РФ (А04-2.9-889) и РФФИ (05-02-90568 ННС_а). PACS: 77.80.Dj, 77.84.Dy
  1. Э.А. Завадский, В.М. Ищук. Метастабильные состояния в сегнетоэлектриках. Наукова думка, Киев (1987)
  2. Е.М. Морозов, В.П. Смирнов, В.В. Климов, С.П. Соловьев. Кристаллография 23, 1, 119 (1978)
  3. I.P. Raevski, S.I. Raevskaya, S.A. Prosandeev, V.A. Shuvaeva, A.M Glazer, M.S. Prosandeeva. J. Phys.: Condens. Matter 16, 15, L221 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.