Рассмотрено изменение энергии различных ян-теллеровских конфигураций вакансий в тонких приповерхностных слоях полупроводника. Расчеты выполнены в модели, в которой каждая оборванная связь вблизи вакансии описывалась волновой функцией электрона, локализованного на дефекте с потенциалом нулевого радиуса. Предполагалось, что энергия ян-теллеровской стабилизации много меньше, чем кристаллическое расщепление, но значительно больше, чем изменения энергии, вносимые другими возмущениями. Показано, что наиболее эффективной причиной возможного выстраивания вакансий при температурах жидкого азота и ниже в слоях полупроводников толщиной >=q 100 Angstrem является электрическое поле, которое может существовать в слоях благодаря заряду на поверхностных состояниях. Прямое влияние границы раздела как на электронную, так и на ядерную энергии различных конфигураций мало и может проявляться только в слоях толщиной менее 10 Angstrem при температуре жидкого гелия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.