Вышедшие номера
Исследование плазмонов в ионно-облученных однослойных углеродных нанотрубках спектроскопическими методами
Бржезинская М.М.1, Байтингер Е.М.2, Смирнов А.Б.3
1Челябинский государственный педагогический университет, Челябинск, Россия
2Preub isches Privatinstitut fur Technologie zur Berlin, Berlin, Germany
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: brzhezinskaya@fromru.com
Поступила в редакцию: 4 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Работа посвящена экспериментальному изучению электронного строения однослойных углеродных нанотрубок методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами на отражение и оже-электронной спектроскопии. Изучена сателлитная shake up структура, существующая вблизи остовных C 1s-линий в рентгеновских фотоэлектронных спектрах со стороны больших энергий связи в интервале 284-330 eV, которая обусловлена возбуждением pi- и pi+sigma-плазмонов. Исследовано влияние на форму спектров облучения ионами аргона с энергией 1 keV. Форма сателлитных C 1s-спектров оказалась чувствительной к облучению Ar+ в интервале энергий потерь 10-40 eV, соответствующем возбуждению pi+sigma-плазмонов. С помощью оже-спектроскопии обнаружено присутствие аргона на поверхности облученных ионами образцов. Его концентрация увеличивалась при возрастании дозы ионного облучения до ~4 at.%. Анализ результатов и сопоставление с литературными данными позволил сформулировать качественный вывод о деформации валентных углов у атомов углерода, образующих стенки однослойных нанотрубок, в месте облучения Ar+. Работа выполнена при поддержке Министерства образования Российской Федерации (грант N PD02-1.2-170). PACS: 71.45.Gm, 71.20.Tx
  1. W. Hoenlein. Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4370 (2002)
  2. D. Bergman, M. Strockman. Phys. Rev. Lett. 90, 27 402 (2003)
  3. M. Perrin, S. Fasquel, T. Decoopman, X. Melique, O. Vanbesien, E. Lheurette, D. Lippens. J. of Optics A: Pure Appl. Opt. 7, 3 (2005)
  4. М.М. Бржезинская, Е.М. Байтингер, В.В. Шнитов, А.Б. Смирнов. ФТТ 47, 745 (2005)
  5. E.D. Obraztsova, J.-M. Bonard, V.L. Kuznetsov, V.I. Zaikovskii, S.M. Pimenov, A.S. Pozarov, S.V. Terekhov, V.I. Konov, A.N. Obraztsov, A.P. Volkov. NanoStructured Materials 12, 567 (1999)
  6. А.С. Лобач, Н.Г. Спицына, С.В. Терехов, Е.Д. Образцова. ФТТ 44, 457 (2002)
  7. M. Brzhezinskaya, E. Baitinger, V. Shnitov. Phisica B 348, 95 (2004)
  8. Handbook of Auger electron spectroscopy / Eds L.E. Davis, N.C. MacDonald, P.W. Palmberg, G. Riach. Physical Electronics (1978)
  9. H. Raether. Excitation of plasmons and interband transitions by electrons. Springer--Verlag, Berlin (1980). P. 192
  10. M.M. Brzhezinskaya, E.M. Baitinger. "Plasmons in Carbon Nanotubes" by invitation for the book "Progress in Condensed Matter Physics". Nova Science Publishers, Inc., N.Y. (accepted for publication)
  11. Z. Osvath, G. Vertesy, G. Peto, I. Szabo, J. Gyulai, W. Maser, L.P. Biro. Electronic Properties of Synthetic Nanostructures / Ed. H. Kuzmany et al. CP723, 149 (2004)
  12. S. Prawer, K.W. Nugent, D.N. Jamieson, J.O. Orwa, L.A. Bursill, J.L. Peng. Chem. Phys. Lett. 332, 93 (2000)
  13. S. Waidmann, M. Knupfer, B. Arnold, J. Fink, A. Fleszar, W. Hanke. Phys. Rev. B 61, 10 149 (2000)
  14. A.C. Ferrari, A. Libassi, B.K. Tanner, V. Stolojan, J. Yuan, L.M. Brown, S.E. Rodil, B. Kleinsorge, J. Robertson. Phys. Rev. B 62, 11 089 (2000)
  15. A.V. Krasheninnikov, K. Nordlund, J. Keinonen. Phys. Rev. B 65, 65 423 (2002)
  16. A.V. Krasheninnikov, K. Nordlund. J. Vac. Sci. Technolol. B 20, 728 (2002)
  17. H.E. Romero, K. Bolton, A. Rosen, P.S. Eklund. Science 307, 89 (2005)
  18. M.M. Brzhezinskaya, E.M. Baitinger, V.V. Shnitov, A.B. Smirnov. AIP Conference Proceedings (accepted for publication)
  19. М.М. Бржезинская, Е.М. Байтингер, В.И. Кормилец. ЖЭТФ 118, 448 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.