Вышедшие номера
Равновесные конфигурации частичных дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах
Гуткин М.Ю.1, Микаелян К.Н.1, Овидько И.А.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gutkin@pgpt.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Проведен теоретический анализ энергетических характеристик ортогональных рядов частичных дислокаций несоответствия с V-образными дефектами упаковки в тонкопленочных гетероэпитаксиальных системах. Показано, что их появления следует ожидать только в очень тонких эпитаксиальных пленках наноскопической толщины и при больших значениях несоответствия, превышающих некоторую предельную величину. В этих условиях частичные дислокации несоответствия, связанные с V-образными дефектами упаковки, оказываются типичными элементами дефектной структуры нанослойных гетеросистем. При меньших несоответствиях и больших толщинах пленки следует ожидать образования полных дислокаций несоответствия.
  1. Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Наук. думка, Киев (1983). 304 с
  2. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. (1985). 160 с
  3. W.D. Nix. Metall. Trans. A20, 11, 2217 (1989)
  4. S.C. Jain, J.R. Willis, R. Bullough. Adv. Phys. 39, 2, 127 (1990)
  5. S.C. Jain, W. Hayes. Semicond. Sci. Technol. 6, 7, 547 (1991)
  6. E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep. 7, 1, 87 (1991)
  7. N. Burle, B. Pichaud, N. Guelton, R.G. Saint-Jacques. Phys. Stat. Sol. (a) 149, 1, 123 (1996)
  8. B.C. De Cooman, C.B. Carter. Acta Met. 37, 10, 2765 (1989)
  9. B.C. De Cooman, C.B. Carter, Kam Toi Chan, J.R. Shealy. Acta Met. 37, 10, 2779 (1989)
  10. J. Zou, D.J.H. Cockayne. Appl. Phys. Lett. 69, 8, 1083 (1996)
  11. M. Loubradou, R. Bonnet, A. Vila, P. Ruterana. Mater. Sci. Forum. 207--209, 1, 285 (1996)
  12. M. Tamura. Appl. Phys. A63, 2, 359 (1996)
  13. J.W. Matthews. J. Vacuum Sci. Technol. 12, 1, 126 (1975)
  14. В.И. Владимиров, М.Ю. Гуткин, А.Е. Романов. В сб.: Физические аспекты прогнозирования разрушения и деформирования гетерогенных материалов / Под ред. А.М. Лексовского. Изд-во ФТИ, Л. (1987). С. 76
  15. В.И. Владимиров, М.Ю. Гуткин, А.Е. Романов. Поверхность. Физика, химия, механика, 6, 46 (1988)
  16. M.Yu. Gutkin, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. Mater. Sci. Eng. A164, 1--2, 433 (1993)
  17. J.R. Willis, S.C. Jain, R. Bullough. Phil. Mag. A62, 1, 115 (1990)
  18. A. Rocket, C.J. Kiely. Phys. Rev. B44, 3, 1154 (1991)
  19. A. Atkinson, S.C. Jain. Thin Solid Films 222, 1--2, 161 (1992)
  20. A. Atkinson, S.C. Jain. J. Appl. Phys. 72, 6, 2242 (1992)
  21. T.J. Gosling, S.C. Jain, J.R. Willis, A. Atkinson, R. Bullough. Phil. Mag. A66, 1, 119 (1992)
  22. S.C. Jain, T.J. Gosling, J.R. Willis, R. Bullough, P. Balk. Solid. State Electron. 35, 8, 1073 (1992)
  23. S.C. Jain, T.J. Gosling, J.R. Willis, D.H.J. Totterdell, R. Bullough. Phil. Mag. A65, 5, 1151 (1992)
  24. T.J. Gosling, R. Bullough, S.C. Jain, J.R. Willis. J. Appl. Phys. 73, 12, 8267 (1993)
  25. U. Jain, S.C. Jain, J. Nijs, J.R. Willis, R. Bullough, R.P. Mertens, R. Van Oversraeten. Solid State Electron. 36, 3, 331 (1993)
  26. T.J. Gosling, J.R. Willis. Phil. Mag. A69, 1, 65 (1994)
  27. F. Bailly, M. Barbe, G. Cohen-Solal. J. Cryst. Growth 153, 1, 115 (1995)
  28. А.К. Гутаковский, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин. Кристаллография 25, 4, 806 (1980)
  29. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 600 с
  30. Дефекты в кристаллах полупроводников. Мир, М. (1969). 376 с
  31. J. Zou, B.F. Usher, D.J.H. Cockayne, R. Glaisher. J. Electron. Maters. 20, 10, 855 (1991)
  32. D. Cherns, M.J. Stowell. Thin Solid Film. 29, 1, 107 (1975)
  33. D. Cherns, M.J. Stowell. Thin Solid Film. 37, 2, 249 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.